| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-22页 |
| 1.1 引言 | 第9-11页 |
| 1.2 纳米材料的基本特征及应用 | 第11-13页 |
| 1.2.1 纳米材料的概述及其分类 | 第11-12页 |
| 1.2.2 纳米材料的特性 | 第12-13页 |
| 1.2.3 纳米材料的应用 | 第13页 |
| 1.3 GaN材料的性质及其应用 | 第13-17页 |
| 1.3.1 GaN材料的晶体结构 | 第13-15页 |
| 1.3.2 GaN薄膜的制备方法 | 第15-16页 |
| 1.3.3 GaN材料的应用 | 第16-17页 |
| 1.4 GaN纳米线的研究 | 第17-20页 |
| 1.4.1 GaN纳米材料的性质 | 第17-18页 |
| 1.4.2 GaN纳米线的制备方法 | 第18-19页 |
| 1.4.3 GaN纳米材料的表征手段 | 第19-20页 |
| 1.5 本文的主要研究内容及安排 | 第20-22页 |
| 第二章 流体计算与升华法生长系统 | 第22-30页 |
| 2.1 流体力学 | 第22-24页 |
| 2.1.1 流体流动的分类及状态 | 第22-23页 |
| 2.1.2 流体流动的控制方程 | 第23-24页 |
| 2.2 计算流体动力学基础 | 第24-25页 |
| 2.2.1 计算流体力学的求解过程及数值求解方法 | 第24-25页 |
| 2.2.2 计算流体力学的应用 | 第25页 |
| 2.3 数值模拟之Fluent软件包 | 第25-27页 |
| 2.3.1 Fluent软件包的结构 | 第26页 |
| 2.3.2 Fluent的求解步骤 | 第26-27页 |
| 2.4 升华法生长系统 | 第27-29页 |
| 2.4.1 升华法制备工艺 | 第27-28页 |
| 2.4.2 本课题模拟研究的卧式升华法生长系统 | 第28-29页 |
| 2.5 本章小结 | 第29-30页 |
| 第三章 升华法生长系统反应腔的数值模拟 | 第30-54页 |
| 3.1 升华法生长系统反应腔二维模型建立 | 第30-32页 |
| 3.1.1 反应腔几何模型和网格划分 | 第30-31页 |
| 3.1.2 仿真模型参数计算与分析 | 第31-32页 |
| 3.2 反应室温度的数值模拟与优化 | 第32-38页 |
| 3.2.1 设计思想及边界条件的设定 | 第32-33页 |
| 3.2.2 反应腔体的流场分布 | 第33-35页 |
| 3.2.3 分析与优化 | 第35-38页 |
| 3.3 衬底与Ga源槽的距离的数值模拟与优化 | 第38-42页 |
| 3.3.1 设计思想及边界条件的设定 | 第38页 |
| 3.3.2 反应腔体的流场分布 | 第38-40页 |
| 3.3.3 分析与优化 | 第40-42页 |
| 3.4 盛放Ga源的基座距腔体底边距离的数值模拟与优化 | 第42-47页 |
| 3.4.1 设计思想及边界条件的设定与优化 | 第42页 |
| 3.4.2 反应腔体的流场分布 | 第42-45页 |
| 3.4.3 分析与优化 | 第45-47页 |
| 3.5 不同载气N2流量下的数值模拟与优化 | 第47-52页 |
| 3.5.1 设计思想及边界条件的设定 | 第47页 |
| 3.5.2 反应腔体的流场分布 | 第47-50页 |
| 3.5.3 分析与优化 | 第50-52页 |
| 3.6 本章小结 | 第52-54页 |
| 第四章 升华法制备GaN纳米线的实验研究 | 第54-60页 |
| 4.1 实验环境 | 第54-55页 |
| 4.2 实验步骤 | 第55页 |
| 4.3 实验结果分析与优化 | 第55-59页 |
| 4.3.1 不同NH3流量对实验制备GaN纳米线的影响 | 第55-56页 |
| 4.3.2 不同生长时间对实验制备GaN纳米线的影响 | 第56-57页 |
| 4.3.3 催化剂对实验制备GaN纳米线的影响 | 第57-58页 |
| 4.3.4 缓冲层对实验制备GaN纳米线的影响 | 第58-59页 |
| 4.4 本章小结 | 第59-60页 |
| 第五章 总结与展望 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-65页 |
| 附录1 攻读硕士学位期间撰写的论文 | 第65-66页 |
| 致谢 | 第66页 |
