| 中文摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第11-39页 |
| 1.1 石墨烯基高分子电极 | 第11-16页 |
| 1.1.1 石墨烯基高分子电极的优势 | 第11-12页 |
| 1.1.2 石墨烯基高分子材料的制备 | 第12-14页 |
| 1.1.3 石墨烯基高分子薄膜的加工方法 | 第14-15页 |
| 1.1.4 石墨烯基高分子电极的应用 | 第15-16页 |
| 1.2 聚酰亚胺 | 第16-21页 |
| 1.2.1 聚酰亚胺的应用 | 第17-18页 |
| 1.2.2 石墨烯聚酰亚胺复合膜材料 | 第18-19页 |
| 1.2.3 聚酰亚胺的合成 | 第19-21页 |
| 1.3 半导体修饰电极 | 第21-27页 |
| 1.3.1 半导体材料简介 | 第21-23页 |
| 1.3.2 半导体修饰电极在电化学中的应用 | 第23-25页 |
| 1.3.3 半导体材料的制备 | 第25-27页 |
| 1.4 本研究工作的选题和目的 | 第27-28页 |
| 1.5 本章小结 | 第28-30页 |
| 参考文献 | 第30-39页 |
| 第二章 用电化学原子层沉积(EC-ALD)技术在EGO修饰的PI/rGO表面制备纳米半导体化合物SnSe及其电化学信号放大研究 | 第39-56页 |
| 2.1 引言 | 第39-40页 |
| 2.2 实验部分 | 第40-41页 |
| 2.2.1 仪器和药品 | 第40页 |
| 2.2.2 PI/rGO复合膜的制备 | 第40页 |
| 2.2.3 EGO-PI/rGO电极的制备 | 第40-41页 |
| 2.2.4 SnSe半导体化合物的制备 | 第41页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第41-52页 |
| 2.3.1 电极表征 | 第41-44页 |
| 2.3.2 电化学信号在修饰电极上的评估 | 第44-45页 |
| 2.3.3 有效电极面积计算 | 第45-46页 |
| 2.3.4 循环伏安性质 | 第46-48页 |
| 2.3.5 修饰的石墨烯层对沉积量的影响 | 第48-50页 |
| 2.3.6 SnSe薄膜的结构分析 | 第50页 |
| 2.3.7 SnSe的光电性质 | 第50-52页 |
| 2.4 结论 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-56页 |
| 第三章 用逐层电沉积法在Pt纳米颗粒修饰的EGO-PI/rGO电极表面制备Cu-Te半导体阵列 | 第56-69页 |
| 3.1 引言 | 第56-57页 |
| 3.2 实验过程 | 第57-58页 |
| 3.2.1 仪器和试剂 | 第57页 |
| 3.2.2 石墨烯/聚酰亚胺电极(EGO-PI/rGO)电极的制备 | 第57页 |
| 3.2.3 Pt修饰石墨烯/聚酰亚胺电极(Pt/EGO-PI/rGO)的制备 | 第57页 |
| 3.2.4 Cu-Te化合物的制备 | 第57-58页 |
| 3.3 结果及讨论 | 第58-66页 |
| 3.3.1 聚酰亚胺电极性质 | 第58-60页 |
| 3.3.2 循环伏安研究 | 第60-62页 |
| 3.3.3 形貌分析 | 第62-65页 |
| 3.3.4 Cu-Te化合物的光电性质 | 第65-66页 |
| 3.4 结论 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-69页 |
| 第四章 树枝状碲在PI/rGO电极上的生长机理研究以及其在欠电位溶出法检测铅离子中的应用 | 第69-81页 |
| 4.1 引言 | 第69-70页 |
| 4.2 实验部分 | 第70页 |
| 4.2.1 仪器和试剂 | 第70页 |
| 4.2.2 PI/rGO复合膜的制备 | 第70页 |
| 4.2.3 溶液配制 | 第70页 |
| 4.3 结果及讨论 | 第70-78页 |
| 4.3.1 树枝状Te的制备及表征 | 第70-72页 |
| 4.3.2 树枝状Te晶体的成核及生长研究 | 第72-75页 |
| 4.3.3 Pb(Ⅱ)在Te/PI/rGO电极上的电化学行为 | 第75页 |
| 4.3.4 UPD-ASV方法检测Pb(Ⅱ) | 第75-77页 |
| 4.3.5 干扰研究 | 第77-78页 |
| 4.4 结论 | 第78-79页 |
| 参考文献 | 第79-81页 |
| 第五章 单原子层Ag包裹的树枝状Te晶体在高灵敏双氧水传感器中的应用 | 第81-94页 |
| 5.1 引言 | 第81-82页 |
| 5.2 实验部分 | 第82页 |
| 5.2.1 仪器和试剂 | 第82页 |
| 5.2.2 MonoAg-Te/PI/rGO的制备 | 第82页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第82-90页 |
| 5.3.1 电极表征 | 第83-86页 |
| 5.3.2 电极面积计算 | 第86-87页 |
| 5.3.3 H_2O_2在不同修饰电极上的伏安行为及扫速影响 | 第87-88页 |
| 5.3.4 H_2O_2在monoAg-Te/PI/rGO电极上的安培响应 | 第88-89页 |
| 5.3.5 干扰与稳定性研究 | 第89-90页 |
| 5.4 结论 | 第90-91页 |
| 参考文献 | 第91-94页 |
| 第六章 脉冲电沉积法制备二碲化钼并用于水合肼的电化学检测 | 第94-107页 |
| 6.1 引言 | 第94-95页 |
| 6.2 实验部分 | 第95页 |
| 6.3 结果与讨论 | 第95-103页 |
| 6.3.1 修饰电极的制备及表征 | 第95-98页 |
| 6.3.2 水合肼在不同修饰电极上的伏安行为 | 第98-99页 |
| 6.3.3 扫速及pH对水合肼氧化的影响 | 第99-100页 |
| 6.3.4 水合肼检测的安培响应 | 第100-103页 |
| 6.4 结论 | 第103-104页 |
| 参考文献 | 第104-107页 |
| 第七章 结论与展望 | 第107-109页 |
| 7.1 主要结论 | 第107-108页 |
| 7.2 展望 | 第108-109页 |
| 博士期间发表论文 | 第109-110页 |
| 致谢 | 第110页 |
