| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第9-11页 |
| 1.1 拓扑学（Topology）的定义 | 第9页 |
| 1.2 拓扑绝缘体定义 | 第9页 |
| 1.3 三维拓扑绝缘体家族 | 第9-10页 |
| 1.4 三维拓扑绝缘体表征手段简介 | 第10页 |
| 1.5 本论文研究的主要内容和创新之处 | 第10-11页 |
| 第二章 材料制备与基本表征技术简介 | 第11-17页 |
| 2.1 材料制备方法 | 第11-14页 |
| 2.2 实验原料与材料制备仪器 | 第14页 |
| 2.3 测试设备以及其简介 | 第14-17页 |
| 第三章 狄拉克半金属Cd3As2 单晶生长与物性表征 | 第17-27页 |
| 3.1 研究背景介绍 | 第17页 |
| 3.2 Cd3As2 单晶的制备和结构表征 | 第17-18页 |
| 3.3 实验结果及分析 | 第18-26页 |
| 3.3.1 形貌和结构分析 | 第18-20页 |
| 3.3.2 比热和磁性分析 | 第20-22页 |
| 3.3.3 电输运分析 | 第22-26页 |
| 3.4 本章小结 | 第26-27页 |
| 第四章 弱拓扑绝缘体TaAs2 中各向异性巨磁阻效应以及量子震荡研究 | 第27-46页 |
| 4.1 TaAs2 研究背景简介 | 第27页 |
| 4.2 材料的制备和与结构表征 | 第27-29页 |
| 4.3 量子输运分析 | 第29-44页 |
| 4.3.1 零场下电阻 | 第29-30页 |
| 4.3.2 场诱导的金属绝缘体相变分析 | 第30-34页 |
| 4.3.3 霍尔效应分析 | 第34-37页 |
| 4.3.4 萨布利克索夫--德哈斯效应（Sd H效应）分析 | 第37-38页 |
| 4.3.5 转角磁电阻（AMR）分析 | 第38-40页 |
| 4.3.6 武汉国家强磁场中心数据分析 | 第40-41页 |
| 4.3.7 TaAs2 能带计算分析结果 | 第41-42页 |
| 4.3.8 比热分析 | 第42-43页 |
| 4.3.9 磁化率分析 | 第43-44页 |
| 4.4 本章小结 | 第44-46页 |
| 第五章 结论与展望 | 第46-49页 |
| 5.1 结论 | 第46-48页 |
| 5.2 展望 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-52页 |
| 致谢 | 第52-53页 |
