| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第14-30页 |
| 1.1 气体传感器 | 第14-18页 |
| 1.1.1 气体传感器概述 | 第14-15页 |
| 1.1.2 金属氧化物半导体气敏材料研究进展 | 第15-16页 |
| 1.1.3 金属氧化物半导体型气体传感器特性参数 | 第16-17页 |
| 1.1.4 金属氧化物气体传感器响应机理 | 第17-18页 |
| 1.2 提高半导体金属氧化物材料气敏性能的方法 | 第18-24页 |
| 1.2.1 材料复合 | 第19-20页 |
| 1.2.2 贵金属修饰材料表面 | 第20-21页 |
| 1.2.3 设计特殊的材料微观结构 | 第21-23页 |
| 1.2.4 金属氧化物掺杂 | 第23-24页 |
| 1.3 光激发降低半导体金属氧化物材料工作温度 | 第24-28页 |
| 1.4 论文选题的意义和目的 | 第28页 |
| 1.5 本论文研究内容 | 第28-30页 |
| 第二章 实验部分 | 第30-34页 |
| 2.1 实验试剂 | 第30页 |
| 2.2 实验仪器 | 第30-31页 |
| 2.3 材料的表征方法 | 第31-32页 |
| 2.3.1 X射线粉末衍射(XRD)分析 | 第31页 |
| 2.3.2 扫描电镜(SEM)分析 | 第31页 |
| 2.3.3 普通透射电镜(TEM)、高分辨透射电镜(HRTEM) | 第31页 |
| 2.3.4 X射线光电子能谱仪(XPS)分析 | 第31页 |
| 2.3.5 比表面和孔径(BET)分析 | 第31-32页 |
| 2.4 光激发气敏性能测试方法 | 第32-34页 |
| 第三章 ZnO/ZnFe_2O_4复合材料的制备及其光激发气敏性能研究 | 第34-50页 |
| 3.1 引言 | 第34-35页 |
| 3.2 实验内容 | 第35页 |
| 3.2.1 Zn_2Fe-SDS-LDH前驱体的制备 | 第35页 |
| 3.2.2 ZnO/ZnFe_2O_4复合材料的制备 | 第35页 |
| 3.2.3 光激发气敏测试条件 | 第35页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第35-49页 |
| 3.3.1 Zn_2Fe-SDS-LDH前驱体及其焙烧得到的复合氧化物的材料表征 | 第35-40页 |
| 3.3.2 ZnO/ZnFe_2O_4复合材料光电性能测试 | 第40-41页 |
| 3.3.3 ZnO/ZnFe_2O_4复合材料气敏性能研究 | 第41-43页 |
| 3.3.4 ZnO/ZnFe_2O_4复合材料800℃低温下光激发对三乙胺的气敏响应 | 第43-49页 |
| 3.4 本章小结 | 第49-50页 |
| 第四章 Zn/In多级结构氧化物的制备及其光激发气敏性能研究 | 第50-64页 |
| 4.1 引言 | 第50-51页 |
| 4.2 实验内容 | 第51-52页 |
| 4.2.1 FTO基底的准备 | 第51页 |
| 4.2.2 Zn/In多级结构前驱体的制备 | 第51页 |
| 4.2.3 Zn/In多级结构氧化物的制备 | 第51页 |
| 4.2.4 光激发气敏测试条件 | 第51-52页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第52-63页 |
| 4.3.1 Zn/In多级结构氧化物材料的形貌、结构表征 | 第52-58页 |
| 4.3.2 Zn/In多级结构氧化物材料的形成过程探究 | 第58页 |
| 4.3.3 Zn/In多级结构氧化物材料光电性能测试 | 第58-59页 |
| 4.3.4 Zn/In多级结构氧化物材料光激发气敏性能测试 | 第59-63页 |
| 4.4 本章总结 | 第63-64页 |
| 第五章 结论 | 第64-66页 |
| 本论文创新点 | 第66-68页 |
| 参考文献 | 第68-76页 |
| 致谢 | 第76-78页 |
| 研究成果及发表的学术论文 | 第78-80页 |
| 作者和导师简介 | 第80-81页 |
| 硕士研究所生学位论文答辩委员会决议书 | 第81-82页 |
