| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第15-33页 |
| 1.1 气体传感器及指标 | 第15-16页 |
| 1.2 半导体气敏材料的研究进展 | 第16-17页 |
| 1.3 n型半导体气敏材料 | 第17-21页 |
| 1.3.1 氧化铟气敏材料介绍 | 第18-19页 |
| 1.3.2 氧化铟制备方法 | 第19-20页 |
| 1.3.3 氧化铟气敏材料的研究现状 | 第20-21页 |
| 1.4 p型半导体气敏材料 | 第21-24页 |
| 1.4.1 氧化亚铜气敏材料介绍 | 第22页 |
| 1.4.2 氧化亚铜制备方法 | 第22-24页 |
| 1.4.3 氧化亚铜气敏材料的研究现状 | 第24页 |
| 1.5 石墨烯气敏材料 | 第24-27页 |
| 1.5.1 石墨烯型气敏材料介绍 | 第25-26页 |
| 1.5.2 石墨烯气敏材料的研究现状 | 第26-27页 |
| 1.6 提高气敏性能的手段 | 第27-32页 |
| 1.6.1 提高比表面积 | 第27-28页 |
| 1.6.2 金属负载 | 第28-30页 |
| 1.6.3 复合掺杂 | 第30-32页 |
| 1.7 本论文研究的目的和意义 | 第32-33页 |
| 1.7.1 本论文研究目的和意义 | 第32页 |
| 1.7.2 本论文研究内容 | 第32-33页 |
| 第二章 稀土掺杂3DOM In_2O_3制备及气敏性能研究 | 第33-67页 |
| 前言 | 第33-34页 |
| 2.1 实验部分 | 第34-39页 |
| 2.1.1 试剂 | 第34页 |
| 2.1.2 实验仪器 | 第34-35页 |
| 2.1.3 稀土掺杂3DOM氧化铟制备 | 第35-39页 |
| 2.2 实验结果与讨论 | 第39-66页 |
| 2.2.1 PMMA模板的表征 | 第39页 |
| 2.2.2 稀土掺杂3DOM氧化铟的研究 | 第39-54页 |
| 2.2.3 气敏机理的分析 | 第54-59页 |
| 2.2.4 掺杂比例的影响 | 第59-66页 |
| 2.2.4.1 不同铥掺杂比例产物的形貌 | 第59-60页 |
| 2.2.4.2 不同铥掺杂比例产物的组成、结构和表面分析 | 第60-64页 |
| 2.2.4.3 不同比例铥掺杂产物的气敏性能测试 | 第64-66页 |
| 2.3 本章小结 | 第66-67页 |
| 第三章 氧化亚铜/还原氧化石墨烯(Cu_2O/RGO)复合纳米材料的制备及气敏性能 | 第67-83页 |
| 前言 | 第67页 |
| 3.1 实验部分 | 第67-70页 |
| 3.1.1 实验试剂与仪器 | 第67-68页 |
| 3.1.2 氧化石墨烯(GO)的制备 | 第68-69页 |
| 3.1.3 氧化亚铜/还原氧化石墨烯(Cu_2O/RGO)复合物的制备 | 第69页 |
| 3.1.4 气敏元件制备及测试方法 | 第69-70页 |
| 3.2 实验结果与讨论 | 第70-81页 |
| 3.2.1 氧化石墨烯的表征 | 第70-73页 |
| 3.2.2 还原氧化石墨烯/氧化亚铜(Cu_2O/RGO)复合材料表征 | 第73-77页 |
| 3.2.3 气敏性能测试 | 第77-79页 |
| 3.2.4 气敏机理推断 | 第79-81页 |
| 3.3 本章小结 | 第81-83页 |
| 第四章 结论 | 第83-85页 |
| 参考文献 | 第85-93页 |
| 致谢 | 第93-95页 |
| 研究成果及发表的学术论文 | 第95-97页 |
| 作者和导师简介 | 第97-98页 |
| 附件 | 第98-99页 |
