65nm体硅CMOS工艺下单粒子瞬态效应加固方法的研究
| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-18页 |
| 1.1 课题研究背景 | 第8-14页 |
| 1.1.1 辐射环境 | 第8-11页 |
| 1.1.2 辐射效应 | 第11-14页 |
| 1.2 选题依据 | 第14-16页 |
| 1.2.1 抗辐射加固技术迫切需求 | 第14-15页 |
| 1.2.2 SET研究的必要性 | 第15-16页 |
| 1.3 本文研究工作及组织结构 | 第16-18页 |
| 第二章 单粒子瞬态效应研究概述 | 第18-31页 |
| 2.1 SET现象研究的历史概述 | 第18-20页 |
| 2.1.1 SET的首次预测和发现 | 第18-19页 |
| 2.1.2 高频组合逻辑电路中的SET | 第19页 |
| 2.1.3 SET变成重要的错误源 | 第19-20页 |
| 2.2 SET产生的基本机理 | 第20-24页 |
| 2.2.1 电荷收集机理 | 第20-23页 |
| 2.2.2 瞬态脉冲形成机理 | 第23-24页 |
| 2.3 SET的测量技术研究 | 第24-26页 |
| 2.4 SET加固方法研究现状 | 第26-30页 |
| 2.4.1 针对SET产生的加固技术 | 第26-27页 |
| 2.4.2 针对SET传播的加固技术 | 第27-29页 |
| 2.4.3 针对SET捕获的加固技术 | 第29-30页 |
| 2.5 本章小结 | 第30-31页 |
| 第三章 基于P管并联抗SET加固方法研究 | 第31-49页 |
| 3.1 现有加固方法的不足 | 第31-33页 |
| 3.2 基于P管并联加固方法的提出 | 第33-35页 |
| 3.3 仿真设置 | 第35-39页 |
| 3.3.1 仿真流程 | 第35-36页 |
| 3.3.2 MOSFET模型建立 | 第36-37页 |
| 3.3.3 工艺校准 | 第37页 |
| 3.3.4 改进后的反相器模型验证 | 第37-38页 |
| 3.3.5 离子轰击设置 | 第38-39页 |
| 3.4 仿真结果及分析 | 第39-47页 |
| 3.4.1 不同LET仿真结果及分析 | 第39-42页 |
| 3.4.2 不同入射角度仿真结果及分析 | 第42-44页 |
| 3.4.3 不同电源电压仿真结果及分析 | 第44-46页 |
| 3.4.4 5级反相器链混仿结果及分析 | 第46-47页 |
| 3.5 本章小结 | 第47-49页 |
| 第四章 基于P管串联抗SET加固方法研究 | 第49-57页 |
| 4.1 基于P管串联加固方法的提出 | 第49-50页 |
| 4.2 仿真设置 | 第50-51页 |
| 4.3 仿真结果及分析 | 第51-56页 |
| 4.3.1 不同LET仿真结果及分析 | 第52页 |
| 4.3.2 不同入射角度仿真结果及分析 | 第52-54页 |
| 4.3.3 不同电源电压仿真结果及分析 | 第54-56页 |
| 4.3.4 5级反相器链混仿结果及分析 | 第56页 |
| 4.4 本章小结 | 第56-57页 |
| 第五章 总结和展望 | 第57-60页 |
| 5.1 研究工作总结 | 第57-58页 |
| 5.2 研究工作展望 | 第58-60页 |
| 参考文献 | 第60-64页 |
| 图表目录 | 第64-66页 |
| 致谢 | 第66页 |
