摘要 | 第5-6页 |
Abstract | 第6页 |
第一章 绪论 | 第9-22页 |
1.1 杂多酸简介 | 第9-11页 |
1.1.1 杂多酸的结构 | 第9-10页 |
1.1.2 杂多酸的质子导电性研究进展 | 第10-11页 |
1.2 杂多酸基复合材料的研究背景 | 第11-12页 |
1.3 杂多酸/石墨烯/磺化聚醚醚酮杂化膜的研究背景 | 第12-14页 |
1.4 质子导电机理概述 | 第14-15页 |
1.5 本论文的研究内容 | 第15-16页 |
参考文献 | 第16-22页 |
第二章 新型Keggin结构硅系取代型杂多酸的合成及导电性能 | 第22-33页 |
2.1 引言 | 第22页 |
2.2 实验部分 | 第22-23页 |
2.2.1 实验仪器和试剂 | 第22-23页 |
2.2.2 电导率的测定 | 第23页 |
2.2.3 产物的合成 | 第23页 |
2.3 结果分析与讨论 | 第23-29页 |
2.3.1 目标产物的表征结果分析 | 第24-28页 |
2.3.2 杂多酸的质子导电性研究 | 第28-29页 |
2.4 本章小结 | 第29-30页 |
参考文献 | 第30-33页 |
第三章 杂多酸/石墨烯/磺化聚醚醚酮杂化膜的制备及导电性能 | 第33-48页 |
3.1 引言 | 第33页 |
3.2 实验部分 | 第33-36页 |
3.2.1 实验仪器和试剂 | 第33-34页 |
3.2.2 SPEEK的制备 | 第34页 |
3.2.3 HPAs/rGO复合物的合成 | 第34-35页 |
3.2.4 修饰玻碳电极的制备 | 第35页 |
3.2.5 HPAs/rGO/SPEEK杂化膜的制备 | 第35-36页 |
3.3 结果分析与讨论 | 第36-44页 |
3.3.1 目标产物的表征结果分析 | 第36-41页 |
3.3.2 目标产物的导电性能研究 | 第41-44页 |
3.4 本章小结 | 第44-45页 |
参考文献 | 第45-48页 |
第四章 结论与展望 | 第48-49页 |
研究生期间发表的论文 | 第49-50页 |
致谢 | 第50页 |