| 摘要 | 第1-9页 |
| Abstract | 第9-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-17页 |
| ·引言 | 第11-12页 |
| ·研究现状 | 第12-15页 |
| ·研究内容 | 第15-17页 |
| 第二章 理论基础 | 第17-25页 |
| ·基态密度泛函理论方法 | 第17-21页 |
| ·Thomas-Fermi模型 | 第17-18页 |
| ·Hohenberg-Kohn定理 | 第18-19页 |
| ·Kohn-Sham方程 | 第19-21页 |
| ·近似密度泛函 | 第21-22页 |
| ·局域密度近似 (Local Density Approximation) | 第21-22页 |
| ·广义梯度近似( Generalized Gradient Approximation) | 第22页 |
| ·平面波基组和赝势 | 第22-23页 |
| ·量子自旋霍尔效应与Z_2不变量 | 第23-25页 |
| 第三章 惰性衬底硅烷、锗烷对硅烯电子性质的影响 | 第25-33页 |
| ·硅烯/硅烷异质结的本征性质 | 第25-28页 |
| ·硅烯/锗烷异质结的本征性质 | 第28-29页 |
| ·双轴应力与层间距对异质结电子性质的影响 | 第29-31页 |
| ·本章小节 | 第31-33页 |
| 第四章 锗烷衬底对锗烯性质的影响 | 第33-41页 |
| ·锗烯/锗烷异质结的本征性质 | 第33-37页 |
| ·外加电场与双轴应力对异质结电子性质的影响 | 第37-39页 |
| ·本章小节 | 第39-41页 |
| 第五章 乙炔基及其衍生物修饰锡烯的量子性质调控 | 第41-51页 |
| ·乙炔基及其衍生物修饰锡烯本征性质的研究 | 第41-43页 |
| ·双轴应力诱导拓扑态过渡效应的研究 | 第43-48页 |
| ·本章小节 | 第48-51页 |
| 第六章 功能化修饰锑化铊的新奇量子态调控 | 第51-61页 |
| ·氢以及卤族官能团修饰锑化铊本征性质的研究 | 第51-57页 |
| ·外部因素对功能化锑化铊电子性质的影响 | 第57-59页 |
| ·本章小节 | 第59-61页 |
| 第七章 结论与展望 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-69页 |
| 致谢 | 第69-71页 |
| 附录 | 第71-73页 |