| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 目录 | 第9-12页 |
| 第1章 绪论 | 第12-32页 |
| ·纳米材料概述 | 第12页 |
| ·半导体纳米材料的基本特性 | 第12-14页 |
| ·量子尺寸效应 | 第13页 |
| ·小尺寸效应 | 第13页 |
| ·表面效应 | 第13-14页 |
| ·宏观量子隧道效应 | 第14页 |
| ·半导体纳米材料的制备 | 第14-20页 |
| ·水热法/溶剂热法 | 第15页 |
| ·超声化学法 | 第15-16页 |
| ·化合物热分解法 | 第16页 |
| ·共沉淀法 | 第16-17页 |
| ·溶胶凝胶法 | 第17-18页 |
| ·模板法 | 第18-19页 |
| ·其他方法 | 第19-20页 |
| ·硫族化合物半导体纳米材料 | 第20-23页 |
| ·太阳能电池材料 | 第20页 |
| ·太阳能电池分类 | 第20-21页 |
| ·硫族化合物在薄膜太阳能吸收层的应用 | 第21-22页 |
| ·硫族化合物半导体纳米材料的可控制备 | 第22-23页 |
| ·本论文选题依据和研究内容 | 第23-26页 |
| 参考文献 | 第26-32页 |
| 第2章 GeSe纳米材料的可控制备及其表征 | 第32-42页 |
| ·引言部分 | 第32-33页 |
| ·实验部分 | 第33-34页 |
| ·试剂及药品 | 第33页 |
| ·GeSe纳米结构的制备 | 第33页 |
| ·样品表征 | 第33-34页 |
| ·结果和讨论 | 第34-38页 |
| ·GeSe纳米片的表征 | 第34-35页 |
| ·油胺(OLA)对合成的纳米片尺寸及形貌的影响 | 第35-37页 |
| ·Se含量对GeSe产物形貌的影响 | 第37-38页 |
| ·本章小结 | 第38-39页 |
| 参考文献 | 第39-42页 |
| 第3章 GeS纳米片和纳米线的合成、形成机理和光电性质研究 | 第42-56页 |
| ·引言 | 第42-43页 |
| ·实验部分 | 第43-44页 |
| ·实验仪器和试剂 | 第43页 |
| ·样品制备 | 第43-44页 |
| ·样品的表征 | 第44页 |
| ·结果和讨论 | 第44-51页 |
| ·GeS纳米片的X射线粉末衍射(XRD) | 第44-45页 |
| ·GeS纳米片的形貌和微观形貌及相组成分析 | 第45-46页 |
| ·GeS纳米片的紫外-可见吸收光谱图UV-Vis | 第46-47页 |
| ·油胺(OLA)的作用 | 第47页 |
| ·反应温度和反应时间对产物影响--GeS纳米线的生成 | 第47页 |
| ·GeS纳米线XRD图 | 第47-48页 |
| ·GeS纳米线(TEM和HRTEM)电镜图和(EDX)光谱图 | 第48-49页 |
| ·反应时间对GeS纳米线形貌的影响 | 第49-50页 |
| ·GeS纳米线的形成机理 | 第50-51页 |
| ·GeS纳米片和纳米线的光电性质研究Ⅰ-Ⅴ曲线 | 第51页 |
| ·本章小结 | 第51-53页 |
| 参考文献 | 第53-56页 |
| 第4章 水热法制备Cu_2ZnSnS_4纳米片及其光电性能研究 | 第56-66页 |
| ·引言 | 第56-57页 |
| ·实验部分 | 第57页 |
| ·试剂与仪器 | 第57页 |
| ·Cu_2ZnSnS_4样品制备 | 第57页 |
| ·结果和讨论 | 第57-60页 |
| ·X射线粉末衍射和Raman光谱图 | 第57-58页 |
| ·透射电子显微镜TEM和能量散射X射线光谱EDX | 第58-59页 |
| ·UV-Vis紫外-可见吸收光谱图 | 第59-60页 |
| ·机理探讨 | 第60页 |
| ·本章小结 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-66页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文与取得的研究成果 | 第66-68页 |
| 致谢 | 第68页 |
