| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-17页 |
| ·研究背景 | 第9-15页 |
| ·课题的提出与研究意义 | 第15-16页 |
| ·本文工作 | 第16-17页 |
| 第二章 实验研究方法 | 第17-24页 |
| ·样品的制备 | 第17-19页 |
| ·样品成分的表征 | 第19-20页 |
| ·样品结构的表征 | 第20-22页 |
| ·样品光谱性质的表征 | 第22-24页 |
| 第三章 两种 SiOx:Ce,Yb 薄膜的结构及发光性质的研究 | 第24-39页 |
| ·SiOx:Ce,Yb 薄膜样品的制备及成分表征 | 第24-26页 |
| ·SiOx:Ce,Yb 薄膜样品的发光性质 | 第26-28页 |
| ·SiOx:Ce,Yb 薄膜样品的结构表征 | 第28-34页 |
| ·SiOx:Ce,Yb 薄膜样品中能量下转换过程的分析 | 第34-37页 |
| ·一组特殊（Ce,Yb）共掺杂富氧氧化硅薄膜发光性质 | 第37-38页 |
| ·本章小结 | 第38-39页 |
| 第四章 SiOx:Yb 薄膜的结构和发光性质的研究 | 第39-53页 |
| ·SiOx:Yb 薄膜的制备及成分表征 | 第39-40页 |
| ·SiOx:Yb 薄膜的 PL 光谱表征 | 第40-42页 |
| ·SiOx:Yb 薄膜的结构表征 | 第42-45页 |
| ·SiOx:Yb 薄膜中能量下转换过程的分析 | 第45-46页 |
| ·SiOx:Yb 薄膜二次退火后的结构和下转换性质分析 | 第46-52页 |
| ·本章小结 | 第52-53页 |
| 结论 | 第53-55页 |
| 参考文献 | 第55-60页 |
| 攻读学位期间发表论文与研究成果清单 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61页 |
