摘要 | 第1-8页 |
ABSTRACT | 第8-11页 |
论文中涉及的符号和缩写词 | 第11-15页 |
第一章 绪论 | 第15-24页 |
·汞污染现状及其处理方法 | 第15-18页 |
·汞的来源及危害 | 第15-16页 |
·含汞废水的处理方法 | 第16-17页 |
·汞吸附材料 | 第17-18页 |
·电磁波污染危害及其防护材料 | 第18-19页 |
·电磁波污染及危害 | 第18页 |
·常见吸波材料 | 第18-19页 |
·导电高分子 | 第19-22页 |
·导电高分子概述 | 第19-21页 |
·导电高分子的合成方法 | 第21-22页 |
·研究内容及意义 | 第22-24页 |
第二章 偶联剂法制备聚吡咯-漂珠复合材料 | 第24-39页 |
·引言 | 第24-25页 |
·本章研究内容 | 第25页 |
·实验部分 | 第25-27页 |
·实验材料和设备仪器 | 第25-26页 |
·PPY-APS-FACs复合材料的制备 | 第26-27页 |
·材料的表征 | 第27页 |
·结果和讨论 | 第27-38页 |
·原始漂珠的表征分析 | 第27-29页 |
·粒径分析 | 第27-28页 |
·矿物相分析 | 第28-29页 |
·预处理漂珠的表征分析 | 第29-34页 |
·接触角 | 第29-30页 |
·SEM的表征分析 | 第30-31页 |
·FTIR表征分析 | 第31-32页 |
·XPS的表征分析 | 第32-34页 |
·聚吡咯-漂珠复合材料的表征分析 | 第34-38页 |
·SEM的表征分析 | 第34-35页 |
·FTIR表征分析 | 第35页 |
·TG表征分析 | 第35-38页 |
·本章小结 | 第38-39页 |
第三章 静电自组装法制备聚吡咯-漂珠复合材料 | 第39-47页 |
·引言 | 第39-40页 |
·本章研究内容 | 第40页 |
·实验部分 | 第40-42页 |
·实验材料和设备仪器 | 第40-41页 |
·材料的制备 | 第41-42页 |
·材料的表征 | 第42页 |
·结果和讨论 | 第42-46页 |
·FACs-(PDDA-PSS)n的Zata电位测试分析(n=0~12) | 第42-43页 |
·FACs-(PDDA-PSS)-PPY的表征分析(n=0~12) | 第43-46页 |
·SEM的表征分析 | 第43-44页 |
·TG的表征分析 | 第44-45页 |
·FTIR的表征分析 | 第45-46页 |
·本章小结 | 第46-47页 |
第四章 PANI-ATP的制备及其对Hg(Ⅱ)的吸附研究 | 第47-71页 |
·引言 | 第47-48页 |
·本章研究内容 | 第48页 |
·实验部分 | 第48-54页 |
·实验材料和设备仪器 | 第48-50页 |
·材料的制备 | 第50页 |
·材料的表征 | 第50-51页 |
·Hg(Ⅱ)的检测方法 | 第51-52页 |
·吸附实验 | 第52-54页 |
·结果和讨论 | 第54-69页 |
·PANI-ATP复合材料的表征分析 | 第54-56页 |
·SEM的表征分析 | 第54-55页 |
·FTIR的表征分析 | 第55-56页 |
·PANI-ATP复合材料对Hg(Ⅱ)的吸附性能研究 | 第56-65页 |
·pH的影响 | 第56-57页 |
·吸附等温线及离子强度的影响 | 第57-60页 |
·吸附动力学及温度的影响 | 第60-64页 |
·不同共存离子的影响 | 第64-65页 |
·PANI-ATP复合材料对Hg(Ⅱ)的吸附机理研究 | 第65-68页 |
·Zata电位测定 | 第65-66页 |
·XPS表征分析 | 第66-68页 |
·PANI-ATP复合材料再生效果研究 | 第68-69页 |
·本章小结 | 第69-71页 |
第五章 结论与展望 | 第71-74页 |
·研究总结 | 第71-72页 |
·展望 | 第72-74页 |
参考文献 | 第74-81页 |
攻读硕士学位期间的主要科研成果 | 第81-82页 |
致谢 | 第82-83页 |