| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-7页 |
| 目录 | 第7-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-34页 |
| ·研究背景 | 第11-14页 |
| ·基片集成波导研究进展和现状 | 第14-16页 |
| ·缺陷地结构研究进展和现状 | 第16-17页 |
| ·本文主要研究工作和创新点 | 第17-21页 |
| 参考文献 | 第21-34页 |
| 第二章 带通滤波器的耦合谐振器模型及功率容量 | 第34-78页 |
| ·引言 | 第34页 |
| ·带通滤波器的耦合谐振器模型 | 第34-37页 |
| ·带通滤波器的功率容量 | 第37-44页 |
| ·微波击穿 | 第37-39页 |
| ·传输线的功率容量 | 第39-42页 |
| ·耦合矩阵理论与电压比 | 第42-44页 |
| ·半波长微带滤波器的平均功率容量 | 第44-60页 |
| ·半波长微带开路谐振器中的损耗 | 第45-47页 |
| ·微带线温升模型及其平均功率容量 | 第47-50页 |
| ·谐振器与滤波器的最大温升 | 第50-52页 |
| ·滤波器功率容量 | 第52-53页 |
| ·级联四项式微带开环滤波器平均功率容量 | 第53-60页 |
| ·四分之一波长阶梯阻抗微带滤波器的平均功率容量 | 第60-73页 |
| ·热传输线理论 | 第60-65页 |
| ·四分之一波长阶梯阻抗微带谐振器的损耗特性 | 第65-67页 |
| ·四分之一波长阶梯阻抗微带谐振器的温升 | 第67-71页 |
| ·阶梯阻抗微带交指滤波器平均功率容量 | 第71-73页 |
| ·小结 | 第73-74页 |
| 参考文献 | 第74-78页 |
| 第三章 折叠基片集成波导研究 | 第78-108页 |
| ·折叠基片集成波导的传输特性 | 第78-84页 |
| ·截止频率和相位常数 | 第79-81页 |
| ·损耗和衰减常数 | 第81-84页 |
| ·折叠基片集成谐振腔 | 第84-88页 |
| ·本征模问题 | 第85-86页 |
| ·无载品质因素 | 第86-87页 |
| ·电压比 | 第87-88页 |
| ·折叠基片集成波导线性相位滤波器 | 第88-96页 |
| ·四分之一FSIW谐振腔的激励 | 第89-91页 |
| ·四分之一FSIW谐振腔之间的磁耦合 | 第91-92页 |
| ·线性相位滤波器的实现 | 第92-96页 |
| ·折叠基片集成波导准椭圆滤波器 | 第96-103页 |
| ·四分之一FSIW谐振腔之间的电耦合 | 第96页 |
| ·准椭圆滤波器的实现 | 第96-99页 |
| ·功率容量分析 | 第99-103页 |
| ·小结 | 第103-104页 |
| 参考文献 | 第104-108页 |
| 第四章 消逝模基片集成波导滤波器研究 | 第108-152页 |
| ·消逝模波导滤波器基础 | 第108-110页 |
| ·消逝模耦合多层部分H面折叠基片集成波导滤波器 | 第110-119页 |
| ·谐振器之间的耦合 | 第110-112页 |
| ·输入和输出转接器 | 第112-113页 |
| ·不带源与负载耦合的四阶交叉耦合滤波器 | 第113-117页 |
| ·带源与负载耦合的四阶交叉耦合滤波器 | 第117-119页 |
| ·基于折叠和加脊基片集成波导的带通滤波器 | 第119-130页 |
| ·多层FSIW | 第119-121页 |
| ·实现消逝模耦合的RSIW区段 | 第121-123页 |
| ·直列式消逝模SIW滤波器 | 第123-126页 |
| ·弯折式消逝模SIW滤波器 | 第126-128页 |
| ·消逝模SIW滤波器的寄生通带 | 第128-130页 |
| ·消逝模基片集成波导交叉耦合滤波器 | 第130-146页 |
| ·直接耦合滤波器的实现 | 第130-136页 |
| ·引入交叉磁耦合的滤波器 | 第136-139页 |
| ·准椭圆滤波器及其谐波抑制问题 | 第139-146页 |
| ·工作在截止频率上的基片集成波导滤波器 | 第146-149页 |
| ·小结 | 第149-150页 |
| 参考文献 | 第150-152页 |
| 第五章 介质加载基片集成波导研究 | 第152-168页 |
| ·介质加载基片集成波导的传播特性 | 第152-154页 |
| ·介质加载基片集成谐振腔 | 第154-160页 |
| ·等效结构 | 第155-156页 |
| ·本征模问题 | 第156-158页 |
| ·无载品质因素 | 第158-160页 |
| ·介质加载基片集成波导滤波器 | 第160-165页 |
| ·综合频率响应 | 第160-161页 |
| ·耦合系数和外部品质因素 | 第161-162页 |
| ·滤波器加工与测量 | 第162-165页 |
| ·小结 | 第165-166页 |
| 参考文献 | 第166-168页 |
| 第六章 周期加载半模基片集成波导研究 | 第168-211页 |
| ·半模基片集成波导基础 | 第168-171页 |
| ·周期加载半模基片集成波导 | 第171-175页 |
| ·电容加载半模基片集成波导及电可调移相器 | 第175-183页 |
| ·理论和数值分析 | 第175-178页 |
| ·仿真和实验验证 | 第178-180页 |
| ·电可调移相器应用 | 第180-183页 |
| ·电感加载半模基片集成波导 | 第183-185页 |
| ·折皱半模基片集成波导 | 第185-189页 |
| ·理论和数值分析 | 第186-187页 |
| ·仿真和实验验证 | 第187-189页 |
| ·电磁带隙结构加载半模基片集成波导及带通滤波器 | 第189-194页 |
| ·加载EBG结构的HMSIW | 第190-191页 |
| ·带通滤波器应用 | 第191-194页 |
| ·电磁带隙结构加载半模T隔板基片集成波导超宽带滤波器 | 第194-207页 |
| ·具有UWB单模传输特性的TE模波导 | 第194-197页 |
| ·具有UWB单模带宽的TSSIW设计 | 第197-199页 |
| ·紧凑型HMTSSIW结构 | 第199-202页 |
| ·基于HMTSSIW和EBG结构的UWB滤波器 | 第202-207页 |
| ·小结 | 第207页 |
| 参考文献 | 第207-211页 |
| 第七章 缺陷地结构研究 | 第211-254页 |
| ·缺陷地结构基本模型 | 第211-216页 |
| ·基于RLC并联模型的DGS特性分析 | 第211-214页 |
| ·基于耦合谐振器的DGS单元模型 | 第214-216页 |
| ·辗转矢量匹配方法在缺陷地结构精确建模中的应用 | 第216-223页 |
| ·应用于电路建模中的VF方法 | 第216-218页 |
| ·基于连分式逼近的CVF方法 | 第218-219页 |
| ·双带隙DGS单元精确建模 | 第219-223页 |
| ·加载地共面波导中的双平面紧凑型缺陷地结构 | 第223-232页 |
| ·用于CBCPW的DPC-DGS单元 | 第224-227页 |
| ·仿真和实验验证 | 第227-230页 |
| ·基于DPC-DGS的CBCPW低通滤波器 | 第230-232页 |
| ·缺陷地结构与小型化双模零阶环形滤波器 | 第232-239页 |
| ·带CSRR型DGS单元的双模零阶环形谐振器 | 第233-235页 |
| ·双模零阶CRLH环形带通滤波器 | 第235-237页 |
| ·仿真和实验验证 | 第237-239页 |
| ·带互补型开环谐振器的扩展二项式基片集成波导滤波器 | 第239-246页 |
| ·双模SIW腔体和CSRR间的耦合 | 第240-242页 |
| ·结合SIW和CSRR的扩展二项式带通滤波器 | 第242-244页 |
| ·仿真和实验验证 | 第244-246页 |
| ·小结 | 第246-247页 |
| 参考文献 | 第247-254页 |
| 第八章 总结与展望 | 第254-256页 |
| 致谢 | 第256-258页 |
| 博士期间已发表和撰写的学术论文 | 第258-261页 |
| 博士期间参与纵向课题研究 | 第261-263页 |