| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 1 绪论 | 第8-15页 |
| ·ZnO 的结构及性质 | 第8-11页 |
| ·ZnO 的基本性质 | 第8-10页 |
| ·ZnO 的光电性质 | 第10-11页 |
| ·ZnO 薄膜的应用及 p 型掺杂的研究进展 | 第11-15页 |
| ·ZnO 薄膜的应用 | 第11-12页 |
| ·ZnO 薄膜 p 型掺杂的研究进展 | 第12-15页 |
| 2 ZnO 薄膜的生长方法及表征技术 | 第15-24页 |
| ·ZnO 薄膜的生长方法 | 第15-18页 |
| ·金属有机物化学气相沉积技术 | 第15-16页 |
| ·溅射法 | 第16页 |
| ·分子束外延技术 | 第16-17页 |
| ·脉冲激光沉积技术 | 第17-18页 |
| ·溶胶-凝胶法 | 第18页 |
| ·喷雾热解法 | 第18页 |
| ·ZnO 薄膜的表征技术 | 第18-24页 |
| ·X 射线衍射 | 第19页 |
| ·X 射线光电子能谱 | 第19-21页 |
| ·霍尔效应 | 第21-22页 |
| ·扫描电子显微镜 | 第22-23页 |
| ·光荧光测试 | 第23-24页 |
| 3 Si 衬底上制备本征 ZnO 薄膜 | 第24-33页 |
| ·MOCVD 工作原理及设备 | 第24-26页 |
| ·MOCVD 工作原理 | 第24-25页 |
| ·本实验所用 MOCVD 设备 | 第25-26页 |
| ·Si 衬底上 ZnO 薄膜的生长优化 | 第26-33页 |
| ·生长温度对 Si 衬底上 ZnO 薄膜结构及光电性质的影响 | 第27-33页 |
| 4 ZnO：N 薄膜结构及光电性质的研究 | 第33-41页 |
| ·利用等离子辅助 MOCVD 在 Si 衬底上制备 N 掺杂的 ZnO 薄膜 | 第33-34页 |
| ·射频功率对 ZnO：N 薄膜性质的影响 | 第34-41页 |
| ·射频功率对 ZnO：N 薄膜结构的影响 | 第34-35页 |
| ·射频功率对 ZnO：N 薄膜电学性质的影响 | 第35-38页 |
| ·射频功率对 ZnO：N 薄膜光学性质的影响 | 第38-41页 |
| 结论 | 第41-42页 |
| 参考文献 | 第42-44页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第44-45页 |
| 致谢 | 第45页 |