| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 目录 | 第9-11页 |
| 第1章 绪论 | 第11-27页 |
| ·引言 | 第11-13页 |
| ·AlN材料的性质 | 第13-16页 |
| ·多晶AlN薄膜反应磁控溅射生长研究的意义及现状 | 第16-19页 |
| ·单晶AlN薄膜MOVPE生长与掺杂研究的意义及现状 | 第19-22页 |
| ·AlN辐射探测器研究的意义及现状 | 第22-24页 |
| ·本论文主要研内容 | 第24-27页 |
| 第2章 半导体材料制备技术及其表征手段 | 第27-43页 |
| ·前言 | 第27页 |
| ·MOVPE技术 | 第27-32页 |
| ·反应磁控溅射技术 | 第32-36页 |
| ·材料表征手段 | 第36-41页 |
| ·小结 | 第41-43页 |
| 第3章 择优取向AlN薄膜反应磁控溅射室温生长 | 第43-67页 |
| ·前言 | 第43页 |
| ·生长条件对AlN薄膜生长的影响 | 第43-52页 |
| ·Sapphire表面氮化对AlN薄膜生长的影响 | 第52-66页 |
| ·小结 | 第66-67页 |
| 第4章 单晶AlN薄膜MOVPE生长与Si热扩散掺杂 | 第67-87页 |
| ·前言 | 第67-68页 |
| ·AlN薄膜MOVPE生长 | 第68-77页 |
| ·AlN薄膜Si热扩散掺杂 | 第77-84页 |
| ·小结 | 第84-87页 |
| 第5章 AlN薄膜在X-射线探测中的应用 | 第87-97页 |
| ·前言 | 第87页 |
| ·AlN光电导的制备及其表征 | 第87-92页 |
| ·AlN光电导对X-射线强度的相应 | 第92-96页 |
| ·小结 | 第96-97页 |
| 第6章 结论与展望 | 第97-99页 |
| ·结论 | 第97-98页 |
| ·研究展望 | 第98-99页 |
| 参考文献 | 第99-111页 |
| 在学期间学术成果情况 | 第111-113页 |
| 指导教师及作者简介 | 第113-115页 |
| 致谢 | 第115页 |