摘要 | 第1-6页 |
Abstract | 第6-9页 |
目录 | 第9-13页 |
第一章 绪论 | 第13-25页 |
·引言 | 第13-14页 |
·钛白粉的用途 | 第13-14页 |
·钛白粉的生产 | 第14页 |
·钛白粉的性质 | 第14-18页 |
·钛白粉的晶体性质 | 第14-15页 |
·钛白粉的表面性质 | 第15-16页 |
·钛白粉的化学性质 | 第16页 |
·钛白粉的光学性质 | 第16-18页 |
·钛白粉表面包膜改性技术 | 第18-24页 |
·钛白粉表面包膜改性的作用 | 第18-19页 |
·钛白粉表面包膜改性的机理 | 第19-20页 |
·钛白粉表面包膜改性的步骤 | 第20-21页 |
·钛白粉表面包膜改性的研究现状 | 第21-24页 |
·选题依据及意义 | 第24页 |
·主要研究内容 | 第24-25页 |
第二章 钛白粉表面包膜改性的性能表征 | 第25-29页 |
·引言 | 第25页 |
·钛白粉表面包膜改性的性能表征 | 第25-28页 |
·小结 | 第28-29页 |
第三章 钛白粉表面包膜改性前的水分散性研究 | 第29-36页 |
·引言 | 第29页 |
·实验部分 | 第29页 |
·原料与试剂 | 第29页 |
·实验方法 | 第29-31页 |
·分散实验 | 第29-30页 |
·表征方法 | 第30-31页 |
·结果与讨论 | 第31-35页 |
·pH对分散性的影响 | 第31-33页 |
·分散剂对分散性的影响 | 第33页 |
·分散剂用量对分散性的影响 | 第33-35页 |
·小结 | 第35-36页 |
第四章 钛白粉表面包覆氧化铝的性能研究 | 第36-51页 |
·引言 | 第36页 |
·实验部分 | 第36-37页 |
·试剂与设备 | 第36页 |
·实验方法 | 第36-37页 |
·结果与讨论 | 第37-50页 |
·XRD表征 | 第37-38页 |
·XRF表征 | 第38页 |
·TEM表征 | 第38-39页 |
·包膜反应温度对Al包膜的影响 | 第39-41页 |
·包膜反应时间对Al包膜的影响 | 第41-44页 |
·包膜量对Al包膜的影响 | 第44-47页 |
·pH对Al包膜的影响 | 第47-50页 |
·小结 | 第50-51页 |
第五章 钛白粉表面包覆氧化硅的性能研究 | 第51-66页 |
·引言 | 第51页 |
·实验部分 | 第51-52页 |
·试剂与设备 | 第51页 |
·实验方法 | 第51-52页 |
·结果与讨论 | 第52-65页 |
·XRD表征 | 第52-53页 |
·XRF表征 | 第53页 |
·TEM表征 | 第53-54页 |
·包膜反应温度对Si包膜的影响 | 第54-56页 |
·包膜反应时间对Si包膜的影响 | 第56-59页 |
·包膜量对Si包膜的影响 | 第59-62页 |
·pH对Si包膜的影响 | 第62-65页 |
·小结 | 第65-66页 |
第六章 钛白粉表面硅铝氧化物复合包膜改性的性能研究 | 第66-81页 |
·引言 | 第66页 |
·实验部分 | 第66-67页 |
·试剂与设备 | 第66页 |
·实验方法 | 第66-67页 |
·结果与讨论 | 第67-80页 |
·XRD表征 | 第67页 |
·XRF表征 | 第67-68页 |
·TEM表征 | 第68-69页 |
·包膜反应温度对Si-Al复合包膜的影响 | 第69-72页 |
·包膜反应时间对Si-Al复合包膜的影响 | 第72-74页 |
·包膜次序对Si-Al复合包膜的影响 | 第74-77页 |
·包膜剂中硅铝氧化物质量比对Si-Al复合包膜的影响 | 第77-80页 |
·小结 | 第80-81页 |
第七章 钛白粉表面有机包膜改性的性能研究 | 第81-86页 |
·引言 | 第81页 |
·实验部分 | 第81页 |
·试剂 | 第81页 |
·实验方法 | 第81页 |
·结果与讨论 | 第81-85页 |
·包膜剂种类对有机包膜的影响 | 第81-83页 |
·包膜剂用量对有机包膜的影响 | 第83页 |
·包膜反应时间对有机包膜的影响 | 第83页 |
·包膜反应温度对有机包膜的影响 | 第83-85页 |
·小结 | 第85-86页 |
第八章 四种包膜技术的比较 | 第86-91页 |
·引言 | 第86页 |
·实验部分 | 第86-87页 |
·结果与讨论 | 第87-89页 |
·耐候性的比较 | 第87-88页 |
·分散性的比较 | 第88-89页 |
·酸溶率的比较 | 第89页 |
·小结 | 第89-91页 |
第九章 全文总结 | 第91-93页 |
·主要论点 | 第91-92页 |
·主要创新点 | 第92页 |
·存在的问题及今后研究方向 | 第92-93页 |
参考文献 | 第93-98页 |
附录 | 第98-99页 |
致谢 | 第99页 |