有机电致发光显示屏的制备及其漏电流研究
摘要 | 第1-7页 |
ABSTRACT | 第7-13页 |
第一章 绪论 | 第13-26页 |
·引言 | 第13-14页 |
·有机电致发光发展历程及技术特点 | 第14-16页 |
·有机电致发光发展历程 | 第14页 |
·有机电致发光技术特点 | 第14-16页 |
·国内外研究现状及其产业化 | 第16-20页 |
·国内外研究现状 | 第16-17页 |
·OLED的产业化 | 第17-20页 |
·有机电致发光器件存在的问题和发展方向 | 第20-25页 |
·OLED器件存在的问题 | 第20页 |
·有机电致发光器件的发展方向 | 第20-25页 |
·本论文的研究内容 | 第25-26页 |
第二章 混合工艺荧光红光器件的比较及其优化 | 第26-54页 |
·有机电致发光器件的基础 | 第26-27页 |
·有机电致发光的材料 | 第27-29页 |
·有机电致发光器件的工作原理 | 第29-32页 |
·有机电致发光器件结构 | 第32-35页 |
·混合工艺制备红光荧光器件的制备 | 第35-53页 |
·材料的选择 | 第36-37页 |
·器件的制备 | 第37-41页 |
·器件的性能测试与分析 | 第41-53页 |
·本章小结 | 第53-54页 |
第三章 无源点阵OLED屏的制备及其漏电流研究 | 第54-87页 |
·无源点阵OLED屏的制备 | 第54-69页 |
·研究背景 | 第54-55页 |
·无源OLED器件的制备 | 第55-63页 |
·OLED屏驱动电路设计 | 第63-66页 |
·OLED屏漏电流测试 | 第66-69页 |
·OLED屏漏电流的数学模型 | 第69-72页 |
·PMOLED屏漏电流 | 第69-70页 |
·PMOLED像素的整流特性要求 | 第70-72页 |
·器件漏电流的改进 | 第72-83页 |
·绝缘层的改进 | 第72-73页 |
·ITO表面形貌 | 第73页 |
·OLED器件结构的优化 | 第73-80页 |
·OLED白光器件的优化 | 第80-83页 |
·改善工艺和结构后的OLED器件的显示 | 第83-86页 |
·本章小结 | 第86-87页 |
第四章 荫罩式TFT基板上制备全彩显示屏的研究 | 第87-130页 |
·引言 | 第87-94页 |
·OLED器件的驱动方式 | 第87-91页 |
·OLED器件实现彩色的方式 | 第91-94页 |
·荫罩式TFT-OLED器件的结构 | 第94-95页 |
·TFT基板和OLED器件的集成 | 第95-100页 |
·集成层的结构 | 第95-97页 |
·实验部分 | 第97-98页 |
·集成层的制备 | 第98-100页 |
·顶发射器件的半透明阴极优化 | 第100-109页 |
·顶发射器件的制备及性能表征 | 第100-105页 |
·阴极厚度对透过率的影响 | 第105-109页 |
·HIL层对器件性能的影响 | 第109-117页 |
·HIL层材料的选择 | 第109-110页 |
·基于PIN结构的HIL器件的制备 | 第110-111页 |
·HIL层的掺杂浓度对器件性能的影响 | 第111-114页 |
·HIL层的厚度对器件性能的影响 | 第114-116页 |
·小结 | 第116-117页 |
·微腔效应对顶发射器件的影响 | 第117-125页 |
·微腔效应对绿光器件的影响 | 第118-120页 |
·微腔效应对红光器件的影响 | 第120-122页 |
·微腔效应对蓝光器件的影响 | 第122-125页 |
·小结 | 第125页 |
·电子传输材料对器件的影响 | 第125-126页 |
·全彩荫罩式TFT-AMOLED显示屏 | 第126-128页 |
·彩色掩膜的调整 | 第126-127页 |
·全彩显示屏的制备 | 第127-128页 |
·小结 | 第128-130页 |
第五章 结论 | 第130-132页 |
致谢 | 第132-133页 |
参考文献 | 第133-142页 |
博士在学期间的研究成果 | 第142-143页 |