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SiO2基体上直流磁控溅射LaB6/ITO复合薄膜的性能研究

摘要第1-12页
ABSTRACT第12-14页
本文主要创新点第14-15页
第一章 绪论第15-29页
   ·研究背景第15-22页
     ·LaB_6的结构、性能及研究现状第15-18页
     ·ITO的结构、性能及研究现状第18-21页
     ·LaB_6、ITO复合材料研究概况第21-22页
   ·薄膜生长机理及磁控溅射方法第22-25页
     ·薄膜生长第23-24页
     ·磁控溅射原理及研究概况第24-25页
   ·薄膜的热处理第25-26页
   ·课题研究的目的及主要内容第26-29页
第二章 试验内容第29-43页
   ·试验材料第29页
   ·试验设备与溅射工艺参数第29-32页
   ·薄膜分析测试方法第32-43页
     ·X射线衍射仪第32-33页
     ·高分辨透射电镜第33-34页
     ·X射线光电子能谱仪第34-35页
     ·热场发射扫描电镜第35-36页
     ·原子力显微镜第36-37页
     ·台阶仪第37-38页
     ·纳米压痕测试仪第38-39页
     ·紫外/可见/近红外分光光度计第39-40页
     ·霍尔测量仪第40-43页
第三章 热处理及溅射工艺对LAB_6/ITO薄膜组织结构的影响第43-67页
   ·不同溅射工艺下LaB_6/ITO薄膜热处理前后的XRD分析第43-49页
     ·不同氩气气压下LaB_6/ITO薄膜热处理前后的XRD分析第43-45页
     ·不同基片偏压下热处理前后LaB_6/ITO薄膜的XRD分析第45-46页
     ·不同溅射功率下热处理前后LaB_6/ITO薄膜的XRD分析第46-48页
     ·不同热处理温度下LaB_6/ITO薄膜的XRD分析第48-49页
   ·LaB_6薄膜的XRD、XPS分析第49-51页
   ·不同溅射工艺下LaB_6/ITO薄膜热处理前后的AFM分析第51-57页
     ·不同氩气气压下LaB_6/ITO薄膜热处理前后的AFM分析第51-52页
     ·不同基片偏下LaB_6/ITO薄膜热处理前后的AFM分析第52-53页
     ·不同溅射功率下LaB_6/ITO薄膜热处理前后的AFM分析第53-55页
     ·不同热处理温度下LaB_6/ITO薄膜的AFM分析第55-56页
     ·由原子力显微镜观察薄膜生长第56-57页
   ·不同溅射工艺下LaB_6/ITO薄膜热处理前后的断口形貌第57-62页
     ·不同氩气气压下LaB_6/ITO薄膜热处理前后的断口形貌第57-58页
     ·不同基片偏压下热处理前后LaB_6/ITO薄膜的断口形貌第58-60页
     ·不同溅射功率下LaB_6/ITO薄膜热处理前后的断口形貌第60-61页
     ·不同热处理温度下LaB_6/ITO薄膜的断口形貌第61-62页
   ·不同氩气气压下溅射LaB_6/ITO薄膜的能谱分析第62-63页
   ·LaB_6/ITO薄膜的高分辨分析第63-64页
   ·LaB_6/ITO薄膜的硬度、弹性模量分析第64-65页
   ·本章小结第65-67页
第四章 LAB_6/ITO薄膜的光电性能分析第67-79页
   ·不同溅射工艺下LaB_6/ITO薄膜热处理前后的光学性能分析第68-73页
     ·不同氩气气压下LaB_6/ITO薄膜热处理前后的光学性能分析第68-69页
     ·不同基片偏压下LaB_6/ITO薄膜热处理前后的光学性能分析第69-70页
     ·不同溅射功率下LaB_6/ITO薄膜热处理前后的光学性能分析第70-72页
     ·不同热处理温度下LaB_6/ITO薄膜的光学性能分析第72-73页
   ·不同溅射工艺下LaB_6/ITO薄膜热处理前后的电学性能分析第73-77页
     ·不同氩气气压下LaB_6/ITO薄膜热处理前后的电学性能分析第73-74页
     ·不同基片偏压下LaB_6/ITO薄膜热处理前后的电学性能分析第74-75页
     ·不同溅射功率下LaB_6/ITO薄膜热处理前后的电学性能分析第75-76页
     ·不同热处理温度下LaB_6/ITO薄膜的电学性能分析第76-77页
   ·本章小结第77-79页
第五章 结论第79-81页
参考文献第81-89页
致谢第89-91页
攻读硕士期间发表的论文第91-92页
学位论文评阅及答辩情况表第92页

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