| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-12页 |
| ·应用于 AMOLED 的 TFT 集成电路研究历史和发展状况 | 第9-10页 |
| ·本文研究的主要内容 | 第10-12页 |
| 第二章 基于 ZnO 基 TFT 的行集成驱动电路设计 | 第12-41页 |
| ·氧化锌基薄膜晶体管的参数提取和仿真模型拟合 | 第12-17页 |
| ·薄膜晶体管参数提取 | 第12-16页 |
| ·薄膜晶体管仿真模型拟合 | 第16-17页 |
| ·CMOS 工艺行集成驱动电路工作原理分析 | 第17-19页 |
| ·传统的 TFT 行集成驱动电路分析 | 第19-23页 |
| ·行驱动电路工作原理概述 | 第19-20页 |
| ·氧化锌基 TFT 的行集成驱动电路分析 | 第20-23页 |
| ·新型低功耗、直流驱动氧化锌基 TFT 行集成驱动电路设计 | 第23-33页 |
| ·电路的设计指标 | 第23-24页 |
| ·电路工作原理 | 第24-27页 |
| ·电路功率估算 | 第27页 |
| ·电路级联以及寄生参数的分析 | 第27-29页 |
| ·电路测试分析 | 第29-32页 |
| ·分析原因 | 第32-33页 |
| ·流水线时序控制的新型氧化锌基 TFT 行集成驱动电路设计 | 第33-41页 |
| ·电路的设计指标 | 第33-34页 |
| ·电路模块图 | 第34-35页 |
| ·电路工作原理分析 | 第35-38页 |
| ·电路版图尺寸设计和功率估算 | 第38-39页 |
| ·电路级联以及寄生参数仿真结果 | 第39-41页 |
| 第三章 氧化锌基 TFT 的 AMOLED 静电保护电路设计 | 第41-47页 |
| ·ESD 现象的概述 | 第41页 |
| ·传统的 ESD 保护电路 | 第41-43页 |
| ·氧化锌基 TFT 基板的 ESD 保护电路 | 第43-47页 |
| ·传统的结构 ESD 保护电路 | 第43-44页 |
| ·新型的 ESD 保护电路 | 第44-47页 |
| 结论 | 第47-49页 |
| 参考文献 | 第49-52页 |
| 攻读博士/硕士学位期间取得的研究成果 | 第52-53页 |
| 致谢 | 第53-54页 |
| 附件 | 第54页 |
