| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-8页 |
| 第1章 绪论 | 第8-14页 |
| ·前言 | 第8页 |
| ·引线框架材料的研究现状 | 第8-10页 |
| ·固体与分子经验电子理论概述 | 第10-12页 |
| ·本课题的研究目的及主要内容 | 第12-14页 |
| 第2章 热处理工艺对 CuCrSnZn 合金性能的影响 | 第14-20页 |
| ·实验材料与方法 | 第14-15页 |
| ·CuCrSnZn 合金的固溶处理 | 第15页 |
| ·时效处理对 CuCrSnZn 合金导电率和显微硬度的影响 | 第15-17页 |
| ·时效前变形量对 CuCrSnZn 合金导电率和显微硬度的影响 | 第17-18页 |
| ·CuCrSnZn 合金的二级时效变形工艺研究 | 第18-20页 |
| 第3章 CuCrSnZn 合金相空间价电子结构的计算 | 第20-37页 |
| ·纯 Cu 的价电子结构 | 第20-21页 |
| ·Cu-Zn 晶胞的价电子结构 | 第21-28页 |
| ·Cu-Zn 晶胞价电子结构计算模型 | 第21-26页 |
| ·Cu-Zn 晶胞价电子结构计算结果 | 第26-28页 |
| ·Cu-Cr 晶胞的价电子结构 | 第28-29页 |
| ·Cu-Zn-Sn 晶胞的价电子结构 | 第29-33页 |
| ·Cu-Zn-Sn 晶胞价电子结构计算模型 | 第29-32页 |
| ·Cu-Zn-Sn 晶胞价电子结构计算结果 | 第32-33页 |
| ·Cu-Cr-Sn 晶胞的价电子结构 | 第33-34页 |
| ·相价电子结构与固溶强化 | 第34-37页 |
| 第4章 CuCrSnZn 合金相界面价电子结构的计算 | 第37-48页 |
| ·a-Cu(111)/Cu-Zn(110)固溶体界面电子密度 | 第37-41页 |
| ·a-Cu 的(111)面价电子结构 | 第37-39页 |
| ·Cu-Zn 的(110)面价电子结构 | 第39页 |
| ·Cu-Zn 固溶体的(110)面价电子结构 | 第39-41页 |
| ·a-Cu(111)/Cu-Cr(110)固溶体界面电子密度 | 第41-42页 |
| ·a-Cu(111)/Cu-Zn-Sn(110)固溶体界面电子密度 | 第42-43页 |
| ·a-Cu(111)/Cu-Cr-Sn(110)固溶体界面电子密度 | 第43-44页 |
| ·a-Cu(111)/第二相 Cr 的界面电子密度 | 第44-46页 |
| ·界面电子密度与界面强化 | 第46-48页 |
| 第5章 CuCrSnZn 合金强度的价电子理论计算 | 第48-55页 |
| ·合金相价电子结构参数 | 第48-50页 |
| ·相最强共价键共用电子对数 nA | 第48-49页 |
| ·相界面电子密度差 | 第49-50页 |
| ·固溶强化强度增量计算 | 第50-51页 |
| ·固溶强化权重 W 的计算 | 第50页 |
| ·固溶强化系数 | 第50-51页 |
| ·固溶强化增量 b的计算 | 第51页 |
| ·界面强化强度增量计算 | 第51-52页 |
| ·界面强化系数 | 第52页 |
| ·界面强化强度增量的计算 | 第52页 |
| ·析出强化强度增量计算 | 第52-53页 |
| ·析出相 Cr 的权重W Cr | 第53页 |
| ·析出相 Cr 的强化系数B a-Cu/Cr | 第53页 |
| ·析出强化强度增量的计算 | 第53页 |
| ·CuCrSnZn 合金强度的计算 | 第53-55页 |
| 第6章 结论 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
| 攻读硕士学位期间的研究成果 | 第62页 |
