高介电铜氧化物陶瓷的制备及性能研究
| 摘要 | 第1-3页 |
| ABSTRACT | 第3-7页 |
| 第1章 绪论 | 第7-13页 |
| ·电介质基础理论 | 第7-11页 |
| ·电介质基础 | 第7页 |
| ·介电常数及对外场的响应 | 第7-9页 |
| ·介电损耗及其理论 | 第9-11页 |
| ·高介电材料研究的现状及问题 | 第11页 |
| ·本文研究的内容和目的 | 第11-12页 |
| ·本章小结 | 第12-13页 |
| 第2章 实验测试原理基础 | 第13-17页 |
| ·阻抗分析基础 | 第13-14页 |
| ·XRD 分析技术基础 | 第14-15页 |
| ·SEM 分析技术基础 | 第15-16页 |
| ·Raman 分析技术基础 | 第16-17页 |
| 第3章 氧化铜陶瓷的制备、表征与介电性能研究 | 第17-27页 |
| ·引言 | 第17页 |
| ·实验及表征 | 第17-18页 |
| ·结果与讨论 | 第18-25页 |
| ·致密性及收缩率的测定 | 第18页 |
| ·XRD 表征 | 第18-19页 |
| ·Raman 表征 | 第19-20页 |
| ·SEM 表征 | 第20页 |
| ·介电分析 | 第20-22页 |
| ·等效 IBLC 模型 | 第22页 |
| ·不同温度下的 Cole-Cole 曲线 | 第22-23页 |
| ·利用 Arrhenius 关系确定激活能 | 第23-24页 |
| ·理论拟合与实验结果比较 | 第24-25页 |
| ·本章小结 | 第25-27页 |
| 第4章 氧化亚铜掺杂对氧化铜陶瓷介电性能的影响 | 第27-34页 |
| ·引言 | 第27页 |
| ·实验及表征 | 第27-28页 |
| ·结果与讨论 | 第28-33页 |
| ·致密性及收缩率的测定 | 第28页 |
| ·XRD 表征 | 第28-29页 |
| ·介电分析 | 第29-31页 |
| ·Raman 光谱分析 | 第31-32页 |
| ·SEM 表征 | 第32-33页 |
| ·本章小结 | 第33-34页 |
| 第5章 结论与展望 | 第34-35页 |
| ·结论 | 第34页 |
| ·展望 | 第34-35页 |
| 参考文献 | 第35-39页 |
| 附录A 本文中各个参数物理含义 | 第39-40页 |
| 致谢 | 第40-41页 |
| 攻读硕士学位期间的研究成果 | 第41页 |
