| 中文摘要 | 第1-4页 |
| 英文摘要 | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-20页 |
| §1.1 微电子和光电子技术的发展 | 第8页 |
| §1.2 硅基发光材料的发展 | 第8-10页 |
| §1.3 硅基掺饵薄膜发光材料的理论和发展现状 | 第10-19页 |
| §1.3.1 稀土元素铒的光谱理论 | 第11-13页 |
| §1.3.2 铒离子的激发和退激发 | 第13-16页 |
| §1.3.3 Er~(3+)与纳米硅耦合体系 | 第16-17页 |
| §1.3.4 硅基掺铒薄膜发光材料的研究进展 | 第17-19页 |
| §1.4 本文主要研究内容和章节安排 | 第19-20页 |
| 第二章 掺铒氧化铝/硅多层薄膜的制备和结构表征 | 第20-37页 |
| §2.1 掺铒薄膜的PLD平台制备概述 | 第20-22页 |
| §2.2 本文系列薄膜样品的制备 | 第22-24页 |
| §2.3 掺铒薄膜样品的结构表征 | 第24-31页 |
| §2.3.1 X射线衍射谱仪(XRD) | 第24-25页 |
| §2.3.2 透射电子显微镜(TEM) | 第25-27页 |
| §2.3.3 光致发光谱(PL) | 第27-28页 |
| §2.3.4 拉曼散射光谱仪(Raman) | 第28-31页 |
| §2.3.5 小结 | 第31页 |
| §2.4 低温退火纳米晶硅形成的原因 | 第31-36页 |
| §2.4.1 X射线光电子能谱(XPS) | 第31-33页 |
| §2.4.2 变角X射线光电子能谱(ARXPS) | 第33页 |
| §2.4.3 结果分析和讨论 | 第33-36页 |
| §2.5 本章小结 | 第36-37页 |
| 第三章 掺铒氧化铝/硅多层薄膜光致发光性质研究 | 第37-50页 |
| §3.1 引言 | 第37页 |
| §3.2 掺铒氧化铝/硅的发光特性研究 | 第37-45页 |
| §3.2.1 光致发光谱(PL) | 第37-39页 |
| §3.2.2 变激发波长的光致发光谱(PLE) | 第39-40页 |
| §3.2.3 时间分辨的PL谱 | 第40-42页 |
| §3.2.4 变温PL和变功率PL特征 | 第42-44页 |
| §3.2.5 发光特性的讨论 | 第44-45页 |
| §3.3 表面等离激元对光致发光的增强 | 第45-49页 |
| §3.3.1 表面等离激元简介 | 第45-47页 |
| §3.3.2 实验设计及结果 | 第47-49页 |
| §3.4 本章小结 | 第49-50页 |
| 第四章 掺铒氧化铝/硅多层薄膜电致发光研究 | 第50-55页 |
| §4.1 引言 | 第50-51页 |
| §4.2 掺铒氧化铝/硅多层薄膜电致发光器件的研究 | 第51-54页 |
| §4.3 本章小结 | 第54-55页 |
| 第五章 结论与展望 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-60页 |
| 攻读硕士期间完成的论文 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |