| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-10页 |
| 目录 | 第10-13页 |
| 主要符号对照表 | 第13-14页 |
| 第1章 绪论 | 第14-30页 |
| ·红外探测技术简介 | 第14-16页 |
| ·碲镉汞红外探测器 | 第16-21页 |
| ·碲镉汞红外探测器理论分析的方法和模型 | 第21-24页 |
| ·数值模型 | 第21-23页 |
| ·解析模型 | 第23-24页 |
| ·本论文的主要研究内容 | 第24-26页 |
| 本章参考文献 | 第26-30页 |
| 第2章 高掺杂HgCdTe红外探测二极管的模拟研究 | 第30-49页 |
| ·研究背景 | 第30-33页 |
| ·用于模拟的器件结构和参数 | 第33-34页 |
| ·理论模型 | 第34-38页 |
| ·载流子简并和非抛物线效应 | 第34-36页 |
| ·BGN效应和BM效应 | 第36-37页 |
| ·P区杂质能级 | 第37-38页 |
| ·结果与讨论 | 第38-44页 |
| ·本章小结 | 第44-46页 |
| 本章参考文献 | 第46-49页 |
| 第3章 不同载流子统计近似对HgCdTe器件性能分析的影响 | 第49-63页 |
| ·载流子浓度和费米能级 | 第49-53页 |
| ·载流子的统计规律 | 第49-51页 |
| ·载流子浓度的确立 | 第51-52页 |
| ·费米能级对HgCdTe光吸收的影响 | 第52-53页 |
| ·不同模型对HgCdTe性能计算的影响 | 第53-59页 |
| ·HgCdTe能带的非抛物线近似模型 | 第53-55页 |
| ·结果与讨论 | 第55-59页 |
| ·本章小结 | 第59-61页 |
| 本章参考文献 | 第61-63页 |
| 第4章 非晶HgCdTe红外探测器载流子输运机理研究 | 第63-86页 |
| ·用于器件分析的相关背景 | 第63-71页 |
| ·光电导效应 | 第63-65页 |
| ·非晶态半导体特性 | 第65-70页 |
| ·硅基HgCdTe技术研究背景 | 第70-71页 |
| ·非晶HgCdTe红外光电导探测器研究 | 第71-81页 |
| ·实验方法与器件结构 | 第72-74页 |
| ·实验结果 | 第74-77页 |
| ·对实验结果的理论分析 | 第77-81页 |
| ·本章小结 | 第81-83页 |
| 本章参考文献 | 第83-86页 |
| 第5章 HgCdTe红外光伏探测器暗电流特性分析 | 第86-107页 |
| ·HgCdTe光伏器件的暗电流机制 | 第86-89页 |
| ·参数提取的方法 | 第89-92页 |
| ·砷掺杂HgCdTe长波红外光伏探测器暗电流变温特性分析 | 第92-96页 |
| ·器件的制备 | 第92-93页 |
| ·R-V拟合结果与分析 | 第93-95页 |
| ·参数提取的结果与分析 | 第95-96页 |
| ·单极阻挡层对红外光伏器件暗电流抑制的模拟研究 | 第96-101页 |
| ·研究背景 | 第96-97页 |
| ·用于模拟的器件结构和参数 | 第97-98页 |
| ·模拟结果与讨论 | 第98-101页 |
| ·本章小结 | 第101-103页 |
| 本章参考文献 | 第103-107页 |
| 第6章 总结和展望 | 第107-110页 |
| ·总结 | 第107-108页 |
| ·展望 | 第108-110页 |
| 附录 Hg_(1-x)Cd_xTe材料基本参数 | 第110-113页 |
| 致谢 | 第113-115页 |
| 在读期间发表的学术论文与取得的其它研究成果 | 第115-116页 |
