| 摘要 | 第1-8页 |
| ABSTRACT | 第8-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-31页 |
| ·引言 | 第15-16页 |
| ·石墨烯的晶体结构和能带结构 | 第16-19页 |
| ·单层石墨烯(Single layer graphene) | 第16-19页 |
| ·几层石墨烯(Few-layer graphene) | 第19页 |
| ·石墨烯的性能 | 第19-21页 |
| ·力学特性 | 第20页 |
| ·光学特性 | 第20页 |
| ·热学特性 | 第20页 |
| ·电学特性 | 第20-21页 |
| ·石墨烯的应用前景 | 第21-24页 |
| ·微电子学器件 | 第21-22页 |
| ·超级电容器 | 第22页 |
| ·光电器件 | 第22-23页 |
| ·能源储存 | 第23-24页 |
| ·石墨烯在其他方面的应用 | 第24页 |
| ·石墨烯的制备方法 | 第24-28页 |
| ·分离法 | 第24-26页 |
| ·高温退火α-SiC单晶方法 | 第26-27页 |
| ·化学气相沉积法 | 第27-28页 |
| ·其他方法 | 第28页 |
| ·本论文选题 | 第28-31页 |
| 第二章 实验技术及相关设备 | 第31-47页 |
| ·引言 | 第31页 |
| ·同步辐射光电子能谱技术与设备 | 第31-34页 |
| ·光电子能谱技术 | 第31-33页 |
| ·国家同步辐射实验室能谱站介绍 | 第33-34页 |
| ·低能电子衍射技术(LEED) | 第34-35页 |
| ·固源分子束外延技术与设备 | 第35-42页 |
| ·分子束外延技术简介 | 第35-38页 |
| ·固源分子束外延设备简介 | 第38-42页 |
| ·反射式高能电子衍射(RHEED) | 第42-44页 |
| ·拉曼技术 | 第44-45页 |
| ·X射线吸收精细结构技术(XAFS) | 第45-46页 |
| ·本章小结 | 第46-47页 |
| 第三章 6H-SIC单晶衬底上石墨烯的生长 | 第47-93页 |
| ·引言 | 第47页 |
| ·SIC的晶体结构与性质 | 第47-50页 |
| ·6H-SIC(0001)表面石墨烯原位生长的SRPES研究 | 第50-57页 |
| ·样品的制备和实验过程 | 第51页 |
| ·实验结果及讨论 | 第51-57页 |
| ·小结 | 第57页 |
| ·6H-SIC(0001)表面原位生长石墨烯的SRPES研究 | 第57-64页 |
| ·样品的制备及实验过程 | 第58页 |
| ·实验结果及讨论 | 第58-63页 |
| ·小结 | 第63-64页 |
| ·6H-SIC不同极性面生长的石墨烯的对比研究 | 第64-71页 |
| ·样品制备过程 | 第64-65页 |
| ·实验结果及讨论 | 第65-71页 |
| ·小结 | 第71页 |
| ·辅助C束流对6H-SIC(0001)热退火生长石墨烯的影响 | 第71-78页 |
| ·样品制备及实验过程 | 第71-72页 |
| ·实验结果及讨论 | 第72-78页 |
| ·小结 | 第78页 |
| ·辅助C束流对6H(000-1)热退火生长石墨烯的影响 | 第78-85页 |
| ·样品制备及实验过程 | 第78-79页 |
| ·实验结果及讨论 | 第79-84页 |
| ·小结 | 第84-85页 |
| ·覆盖有非晶NI缓冲层的6H-SIC(0001)衬底上石墨烯薄膜的制备 | 第85-92页 |
| ·样品制备及实验过程 | 第85-86页 |
| ·实验结果及讨论 | 第86-91页 |
| ·小结 | 第91-92页 |
| ·本章小结 | 第92-93页 |
| 第四章 蓝宝石衬底上石墨烯的制备 | 第93-111页 |
| ·引言 | 第93页 |
| ·蓝宝石的结构与性质 | 第93-95页 |
| ·覆盖有6H-SIC缓冲层的蓝宝石衬底上高温退火制备石墨烯 | 第95-102页 |
| ·样品的制备和实验过程 | 第95-96页 |
| ·实验结果及讨论 | 第96-102页 |
| ·小结 | 第102页 |
| ·覆盖有非晶NI及SIC缓冲层的蓝宝石衬底上石墨烯的制备 | 第102-106页 |
| ·样品制备及实验过程 | 第102-103页 |
| ·实验结果及讨论 | 第103-106页 |
| ·小结 | 第106页 |
| ·利用直接沉积碳原子的方法在蓝宝石衬底上制备石墨烯 | 第106-110页 |
| ·样品制备及实验过程 | 第106-107页 |
| ·实验结果及讨论 | 第107-110页 |
| ·小结 | 第110页 |
| ·本章小结 | 第110-111页 |
| 第五章 CU箔上石墨烯的制备 | 第111-123页 |
| ·引言 | 第111页 |
| ·Cu箔上石墨烯的制备 | 第111-114页 |
| ·样品的制备和实验过程 | 第111-112页 |
| ·实验结果和讨论 | 第112-114页 |
| ·结论 | 第114页 |
| ·衬底温度对Cu箔上生长石墨烯的影响 | 第114-118页 |
| ·样品制备和实验过程 | 第114页 |
| ·实验结果及讨论 | 第114-118页 |
| ·小结 | 第118页 |
| ·Cu箔衬底上石墨烯的层数可控生长及衬底的转移 | 第118-120页 |
| ·样品制备和实验过程 | 第118-119页 |
| ·实验结果及讨论 | 第119-120页 |
| ·小结 | 第120页 |
| ·本章小结 | 第120-123页 |
| 参考文献 | 第123-129页 |
| 硕博期间所发表的论文 | 第129-131页 |
| 致谢 | 第131页 |
