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基于金表面生物功能性膜的电化学构建及其在电分析中的应用

摘要第1-8页
ABSTRACT第8-18页
第一章 绪论第18-34页
   ·生物功能性膜第18-19页
   ·功能性识别原理第19-22页
   ·功能性膜构建方式第22-26页
     ·自组装第22-23页
     ·物理方法聚合第23-24页
     ·电化学聚合第24-25页
     ·电化学还原诱导聚合第25-26页
   ·本论文的主要内容和研究主线第26-28页
 参考文献第28-34页
第二章 实验部分第34-42页
   ·仪器设备第34-35页
   ·药品和材料第35页
   ·基础工作电极第35-36页
   ·实验方法和原理第36-41页
     ·电化学实验方法和原理第36-38页
     ·原子力显微镜及(AFM)技术的基本原理第38-41页
 参考文献第41-42页
第三章 适用于修饰的金电极表面预处理研究第42-52页
   ·前言第42-46页
     ·金表面及其预处理第42-43页
     ·金表面在硫酸中的CV情况第43-45页
     ·金表面真实面积的处理方法第45页
     ·金表面氧化活性对自组装的影响第45-46页
   ·实验部分第46-47页
   ·结果和讨论第47-48页
   ·讨论第48-49页
   ·本章小结第49-50页
 参考文献第50-52页
第四章 金电极表面控电位修饰功能性巯基硼酸衍生物及其选择性区分酒石酸和检测多巴胺(DA)的研究第52-70页
   ·前言第52-54页
   ·实验部分第54-56页
   ·结果和讨论第56-65页
     ·多晶金电极表面控电位修饰4-MPBA和3-DTPA-PBA膜第56-59页
       ·控电位修饰的4-MPBA和3-DTPA-PBA膜在KOH溶液中的CV表征第56-57页
       ·控电位修饰的4-MPBA和3-DTPA-PBA膜在H_2SO_4溶液中的CV表征第57-58页
       ·控电位修饰的4-MPBA和3-DTPA-PBA膜与糖反应后在K_3Fe(CN)_6溶液中的CV表征第58-59页
       ·选择0.4V附近作为控电位修饰的最佳电位范围第59页
     ·控电位后的自组装膜在选择性区分L/D-酒石酸中的应用第59-63页
     ·控电位后的自组装膜在选择性检测DA中的应用第63-65页
   ·本章小结第65-66页
 参考文献第66-70页
第五章 金电极表面电化学氧化聚合功能性聚3-噻吩硼酸膜及选择性检测DA的研究第70-85页
   ·前言第70页
   ·实验部分第70-71页
     ·仪器与试剂第70-71页
     ·修饰电极的制备第71页
     ·实验方法第71页
   ·结果和讨论第71-81页
     ·电化学聚合3-THB第71-72页
     ·电化学聚合与自组装两种不同修饰电极方式对DA的响应差别第72-73页
     ·DA、AA在修饰电极上的循环伏安特性第73页
     ·DA、AA在修饰电极上的微分脉冲伏安特性第73-74页
     ·修饰电极的稳定性第74-75页
     ·不同富集时间对DA检测的影响第75-76页
     ·标准曲线、线性范围和检出限第76-78页
     ·干扰实验第78页
     ·反应机理逐步探讨第78-81页
   ·本章小结第81-82页
 参考文献第82-85页
第六章 基于电化学还原诱导聚合甲基丙烯酸生物功能性膜固定葡萄糖氧化酶的研究第85-101页
   ·前言第85-86页
   ·实验部分第86-87页
   ·结果和讨论第87-96页
     ·电化学还原诱导聚合制备甲基丙烯酸(MMA)膜和甲基丙烯酸固酶(GOD/MMA)膜第87-88页
     ·MMA膜和GOD/MMA膜的CV表征第88-91页
       ·MMA膜在K_3Fe(CN)_6溶液中的CV表征第88-89页
       ·MMA膜和GOD/MMA膜在H_2O_2中的CV表征第89页
       ·GOD/MMA膜在β-D-glucose中的CV表征第89-91页
     ·MMA膜和GOD/MMA膜的AFM表征第91-92页
     ·GOD/MMA膜在β-D-glucose中的电流响应第92-96页
       ·最佳检测电位第92页
       ·最佳聚合循环圈数第92-93页
       ·最佳pH值第93-94页
       ·GOD/MMA膜的稳定性第94页
       ·GOD/MMA膜对β-D glucose检测响应及其敏感分析第94-96页
   ·本章小结第96-97页
 参考文献第97-101页
全文结论第101-103页
研究生在读期间发表的论文第103-104页
致谢第104页

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