| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-29页 |
| ·研究背景 | 第13-14页 |
| ·纳米材料概述 | 第14-19页 |
| ·纳米材料的定义和分类 | 第14页 |
| ·纳米材料的发展历史 | 第14-15页 |
| ·纳米材料的基本特性 | 第15-17页 |
| ·纳米材料的热点领域 | 第17-18页 |
| ·纳米科技和纳米材料在电子器件领域中的应用 | 第18-19页 |
| ·一维纳米结构：纳米线、纳米棒 | 第19-20页 |
| ·纳米材料的表面改性 | 第20-22页 |
| ·纳米颗粒表面物理改性 | 第20-21页 |
| ·纳米颗粒表面化学改性 | 第21页 |
| ·半导体纳米粒子的表面修饰 | 第21-22页 |
| ·Ⅱ－Ⅵ族半导体纳米材料的研究现状 | 第22-27页 |
| ·Ⅱ－Ⅵ族半导体一维纳米结构的制备方法 | 第22-25页 |
| ·Ⅱ－Ⅵ族半导体一维纳米结构的光电性能及潜在应用 | 第25-27页 |
| ·本文研究的主要内容 | 第27-29页 |
| 第二章 氧化铝模板辅助电化学法合成一维CDSE 纳米材料 | 第29-43页 |
| ·引言 | 第29-30页 |
| ·实验 | 第30-33页 |
| ·原料和仪器 | 第30-31页 |
| ·实验过程 | 第31-33页 |
| ·样品的测试与表征 | 第33页 |
| ·结果与讨论 | 第33-41页 |
| ·氧化铝模板的SEM 分析 | 第33-34页 |
| ·透射电子显微镜分析 | 第34页 |
| ·CdSe 纳米线成分分析 | 第34-35页 |
| ·电镀液中硒源浓度的影响 | 第35-36页 |
| ·扫描时间的影响 | 第36-38页 |
| ·CdSe 纳米线的电沉积机理研究 | 第38-40页 |
| ·CdSe 一维纳米结构的光学性能表征 | 第40-41页 |
| ·小结 | 第41-43页 |
| 第三章 聚合物辅助溶剂热法合成一维CDSE 纳米材料 | 第43-65页 |
| ·引言 | 第43-44页 |
| ·实验 | 第44-45页 |
| ·原料和仪器 | 第44页 |
| ·制备过程 | 第44-45页 |
| ·样品的测试与表征 | 第45页 |
| ·合成与表征 | 第45-54页 |
| ·CdSe 纳米线的XRD 表征 | 第46-47页 |
| ·透射电子显微镜分析 | 第47-48页 |
| ·反应时间的影响 | 第48-51页 |
| ·前驱物浓度的影响 | 第51-54页 |
| ·一维CDSE 纳米材料的生长机制研究 | 第54-59页 |
| ·CdSe 纳米线的生长 | 第55-56页 |
| ·乙二胺反应媒介的影响 | 第56-57页 |
| ·聚丙烯酰胺软模板的影响 | 第57-59页 |
| ·纳米线的光学性能 | 第59-63页 |
| ·半导体纳米材料发光概述 | 第59-62页 |
| ·半导体CdSe 纳米线的PL 和Uv-vis 光谱研究 | 第62-63页 |
| ·小结 | 第63-65页 |
| 第四章 一维CDSE 纳米材料的表面修饰及光电性能研究 | 第65-85页 |
| ·引言 | 第65-66页 |
| ·实验 | 第66-67页 |
| ·原料和仪器 | 第66-67页 |
| ·制备过程 | 第67页 |
| ·样品的表征和测试 | 第67页 |
| ·合成与表征 | 第67-72页 |
| ·XRD 表征 | 第67-68页 |
| ·TEM 表征 | 第68-70页 |
| ·CdSe/CdS 复合纳米线的光学性能表征 | 第70-72页 |
| ·CDS/CDSE 纳米复合材料的光电导性能研究 | 第72-83页 |
| ·光电导理论 | 第72-77页 |
| ·CdSe 纳米线及CdSe/CdS 纳米复合材料的光电导性能研究 | 第77-80页 |
| ·基于一维纳米材料的光电传感器 | 第80-82页 |
| ·CdSe/CdS 纳米复合材料的光电增强效应分析 | 第82-83页 |
| ·小结 | 第83-85页 |
| 第五章 总结与展望 | 第85-88页 |
| ·本文工作总结及主要结论 | 第85-86页 |
| ·工作展望 | 第86-88页 |
| 参考文献 | 第88-94页 |
| 致谢 | 第94-95页 |
| 攻读硕士学位期间发表的主要论文 | 第95页 |
