| 摘要 | 第1-3页 |
| Abstract | 第3-6页 |
| 第一章 引言 | 第6-17页 |
| ·阴极射线管显示 | 第6-7页 |
| ·平板显示(Flat Panel Display: FPD) | 第7-11页 |
| ·液晶显示 | 第8页 |
| ·等离子显示 | 第8-9页 |
| ·有机电致发光显示 | 第9页 |
| ·发光二极管 | 第9-10页 |
| ·场发射显示 | 第10-11页 |
| ·场发射的发展历史 | 第11-15页 |
| ·场发射能谱研究的意义 | 第15-16页 |
| ·本论文的研究内容 | 第16-17页 |
| 第二章 场发射能谱理论 | 第17-35页 |
| ·Fowler-Nordheim 理论 | 第17-22页 |
| ·金属的场发射电子能谱 | 第22-25页 |
| ·半导体的场发射 | 第25-27页 |
| ·场发射电子能谱的测量 | 第27-35页 |
| ·场发射电子轨迹与能谱 | 第27-29页 |
| ·能谱分析仪发展史 | 第29-32页 |
| ·实验能谱仪 | 第32-35页 |
| 第三章 建模 | 第35-45页 |
| ·有限元方法 | 第35-37页 |
| ·有限元方法概述 | 第35页 |
| ·有限元方法的特性 | 第35-36页 |
| ·有限元方法的分析过程 | 第36-37页 |
| ·二维拉普拉斯方程解法 | 第37-41页 |
| ·单元的划分 | 第38-39页 |
| ·建立单元上的线性插值函数 | 第39页 |
| ·单元分析 | 第39-40页 |
| ·总体合成 | 第40-41页 |
| ·建模 | 第41-45页 |
| ·实验样品结构 | 第41-42页 |
| ·计算模型 | 第42-45页 |
| 第四章 硅微尖的场发射电子能谱 | 第45-56页 |
| ·金属的场发射电子能谱计算 | 第45-46页 |
| ·电场强度分布 | 第45-46页 |
| ·半导体能带弯曲理论 | 第46-49页 |
| ·外电场对半导体能带及载流子浓度的影响 | 第46-48页 |
| ·能带弯曲量的计算 | 第48-49页 |
| ·硅的场发射电子能谱计算 | 第49-56页 |
| ·影响能带弯曲的因素 | 第49-50页 |
| ·金属的场发射电子能谱 | 第50页 |
| ·相对介电常数的确定 | 第50-51页 |
| ·温度的影响 | 第51-52页 |
| ·掺杂浓度的影响 | 第52-53页 |
| ·硅的场发射电子能谱分析 | 第53-56页 |
| 第五章 总结 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-60页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61页 |