| 中文摘要 | 第1-3页 |
| ABSTRACT | 第3-6页 |
| 第一章 绪论 | 第6-10页 |
| ·课题研究背景 | 第6-7页 |
| ·谐振隧穿器件的国内外发展情况 | 第7-8页 |
| ·本论文的研究内容 | 第8-10页 |
| 第二章 RTD器件研究与设计 | 第10-26页 |
| ·谐振隧穿器件的原理 | 第10-14页 |
| ·台面型RTD的研制 | 第14-26页 |
| ·材料结构、器件结构和版图设计 | 第14-18页 |
| ·材料设计 | 第14-18页 |
| ·器件结构和版图设计 | 第18页 |
| ·制作工艺 | 第18-23页 |
| ·测试分析 | 第23-26页 |
| 第三章 RTT器件设计 | 第26-44页 |
| ·RTT的分类 | 第26-28页 |
| ·RTT的设计 | 第28-36页 |
| ·材料设计 | 第28-31页 |
| ·肖特基栅型共振隧穿三极管（SGRTT）的材料设计 | 第28-29页 |
| ·RTD与HEMT串联的RTT材料设计 | 第29-31页 |
| ·版图设计 | 第31-33页 |
| ·工艺设计 | 第33-36页 |
| ·RTT的测试与分析 | 第36-44页 |
| ·谐振隧穿三极管的直流测试 | 第36-41页 |
| ·RTD+HEMT型RTT的直流测试 | 第36-37页 |
| ·刻槽型RTT的直流测试 | 第37-39页 |
| ·自对准型RTT的直流测试 | 第39-40页 |
| ·非自对准型RTT的直流测试 | 第40-41页 |
| ·器件测试结果的分析 | 第41-44页 |
| ·同一芯片正反接法造成的I－V特性曲线差异 | 第41-42页 |
| ·曲线VT值变化的分析 | 第42-44页 |
| 第四章 共振隧穿器件相关电路的研究 | 第44-57页 |
| ·MOBILE电路单元 | 第44-47页 |
| ·MOBILE电路单元的基本结构 | 第44-45页 |
| ·MOBILE工作原理 | 第45-47页 |
| ·RTD和FET串联构成的单元结构 | 第47-52页 |
| ·RTD和FET串联组成的等效实验模型（RTD在漏端） | 第47-50页 |
| ·RTD和FET串联组成的等效实验模型（RTD在源端） | 第50-52页 |
| ·RTD与MSM的光电集成 | 第52-57页 |
| 第五章 总结 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-60页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61页 |
