| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 AlGaInP 高亮度发光二极管的进展 | 第9-13页 |
| 1-1 半导体发光二极管的发展史 | 第9-10页 |
| 1-2 高亮度发光二极管应用和发展趋势 | 第10-11页 |
| 1-3 AlGaInP高亮度LED材料和器件的发展现状和存在的问题 | 第11-13页 |
| 第二章 发光二极管的内量子效率分析 | 第13-22页 |
| 2-1 AlGaInP 材料体系 | 第13-14页 |
| 2-2 AlGaInP 材料的自发辐射 | 第14-16页 |
| 2-3 AlGaInP 材料的非辐射复合 | 第16-18页 |
| 2-4 AlGaInP 发光二极管的内量子效率 | 第18-19页 |
| 2-5 多量子阱结构特点 | 第19-20页 |
| 2-6 内量子效率的变温测量 | 第20-22页 |
| 第三章 取光效率分析 | 第22-34页 |
| ·LED 取光效率的模型 | 第24-25页 |
| 3-1-1 LED 取光效率理论模型 | 第24页 |
| 3-1-2 光子循环 | 第24-25页 |
| 3-2 光线追迹法 | 第25-26页 |
| 3-3 (Al_xGa_(1-x))_(0.5)In_(0.5)P 材料体系的折射率 | 第26-27页 |
| 3-4 取光效率的测量 | 第27-29页 |
| ·提高取光效率新途径 | 第29-30页 |
| 3-6 浅谈LED 高效率封装结构以及模拟 | 第30-34页 |
| 3-6-1 浅谈 LED 封装 | 第30页 |
| 3-6-2 高效率封装结构模拟 | 第30-34页 |
| 第四章 AlGaInP LED 结构设计与外延优化 | 第34-50页 |
| 4-1 外延生长的理论模型 | 第34-35页 |
| 4-2 MOCVD 生长基本原理 | 第35-37页 |
| 4-3 AlGaInP 材料的生长 | 第37-38页 |
| 4-4 AlGaInP LED 结构设计 | 第38-39页 |
| 4-5 载流子限制层的设计 | 第39-45页 |
| 4-5-1 限制层 P 型掺杂研究 | 第40-44页 |
| 4-5-2 退火实验 | 第44-45页 |
| 4-6 GaP 电流扩展层的优化 | 第45-50页 |
| 4-6-1 GaP 外延层优化 | 第46-48页 |
| 4-6-2 寿命老化测试分析 | 第48-50页 |
| 第五章 结论 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-53页 |
| 致谢 | 第53-54页 |
| 攻读学位期间所取得的相关科研成果 | 第54页 |
