| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-7页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 第一章 绪言 | 第9-13页 |
| ·运算放大器的发展状况及趋势 | 第9-10页 |
| ·CMOS高精度运算放大器的发展概况 | 第10-12页 |
| ·本文的工作和论文安排 | 第12-13页 |
| 第二章 MOS器件原理及模型 | 第13-19页 |
| ·MOSFET的结构 | 第13-14页 |
| ·MOSFET的工作状态 | 第14-15页 |
| ·线性区(可调电阻区)IV特性 | 第14页 |
| ·饱和区IV特性 | 第14-15页 |
| ·MOSFET的小信号模型 | 第15-16页 |
| ·MOS器件的体效应和亚阈值导电特性 | 第16-18页 |
| ·体效应特性 | 第16-17页 |
| ·亚阈值导电特性 | 第17-18页 |
| ·小结 | 第18-19页 |
| 第三章 运算放大器的性能指标及电路结构 | 第19-32页 |
| ·运算放大器的主要性能、指标 | 第19-23页 |
| ·开环增益(open loop dc gain) | 第19页 |
| ·带宽(bandwidth) | 第19-20页 |
| ·输出摆幅(output swing) | 第20页 |
| ·转换速率(slew rate) | 第20-21页 |
| ·建立时间(settling time) | 第21页 |
| ·电源抑制比(power supply rejection ratio) | 第21页 |
| ·共模抑制比(common mode rejection ratio) | 第21-22页 |
| ·功耗(power dissipation) | 第22页 |
| ·噪声(noise) | 第22-23页 |
| ·运算放大器电路结构分析 | 第23-31页 |
| ·基本差分放大电路 | 第24-25页 |
| ·折叠式运算放大电路(Folded Cascode) | 第25-28页 |
| ·套筒式运算放大电路(telescopic) | 第28-31页 |
| ·小结 | 第31-32页 |
| 第四章 具体电路设计与分析 | 第32-46页 |
| ·运算放大器电路的输入级 | 第32-36页 |
| ·输入级结构选择与分析 | 第32页 |
| ·输入级各晶体管功能分析 | 第32-34页 |
| ·输入级各晶体管设计 | 第34-36页 |
| ·运算放大器的第二级 | 第36-38页 |
| ·第二级电路的结构选择与分析 | 第36-38页 |
| ·第二级晶体管的设计 | 第38页 |
| ·共模反馈电路 | 第38-42页 |
| ·共模反馈意义 | 第38-39页 |
| ·共模反馈结构 | 第39-41页 |
| ·改进型共模反馈结构的分析 | 第41-42页 |
| ·偏置电路 | 第42-44页 |
| ·偏置电路结构 | 第42页 |
| ·带隙电流源 | 第42-44页 |
| ·高通滤波电路 | 第44-45页 |
| ·小结 | 第45-46页 |
| 第五章 电路的仿真与结果分析 | 第46-53页 |
| ·设计指标 | 第46页 |
| ·直流分析 | 第46页 |
| ·交流小信号 | 第46-48页 |
| ·瞬态信号 | 第48页 |
| ·转换速率 | 第48-49页 |
| ·偏置电路的输出性能 | 第49-50页 |
| ·误差分析 | 第50-52页 |
| ·小结 | 第52-53页 |
| 第六章 电路版图设计与验证 | 第53-59页 |
| ·版图设计工具与工艺的介绍 | 第53页 |
| ·版图设计规则与注意事项 | 第53-56页 |
| ·版图设计规则 | 第53-55页 |
| ·版图设计注意事项 | 第55-56页 |
| ·各个主要模块版图 | 第56-57页 |
| ·运算放大器输入对管的设计 | 第56页 |
| ·运算放大器主体放大结构的设计 | 第56-57页 |
| ·版图验证 | 第57-58页 |
| ·小结 | 第58-59页 |
| 第七章 总结与展望 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
| 附录 | 第66-68页 |
