低温工艺PECVD法制备多晶硅薄膜研究
| 第一章 绪论 | 第1-12页 |
| ·太阳电池研究的意义 | 第9-10页 |
| ·太阳电池发展趋势 | 第10页 |
| ·多晶硅薄膜太阳电池的发展状况 | 第10-12页 |
| 第二章 多晶硅薄膜的制备工艺及生长原理 | 第12-29页 |
| ·硅薄膜的沉积方法 | 第12-20页 |
| ·化学气相沉积法 | 第12-17页 |
| ·其它制备多晶硅薄膜的方法 | 第17-20页 |
| ·等离子体化学气相沉积法工作原理 | 第20页 |
| ·辉光放电等离子体的物理基础 | 第20-23页 |
| ·辉光放电装置 | 第20-21页 |
| ·辉光放电原理 | 第21-23页 |
| ·等离子体化学气相沉积技术 | 第23-24页 |
| ·μc-Si：H薄膜生长动力学 | 第24-29页 |
| ·概论 | 第24-27页 |
| ·μc-Si：H薄膜生长动力学过程的初步研究 | 第27-29页 |
| 第三章 掺磷多晶硅薄膜的制备及特性分析 | 第29-40页 |
| ·磷掺杂对硅薄膜的影响 | 第32-35页 |
| ·磷掺杂对薄膜微结构的影响 | 第32-33页 |
| ·磷掺杂对薄膜电特性的影响 | 第33-34页 |
| ·磷掺杂对薄膜透光率的影响 | 第34-35页 |
| ·退火对掺磷多晶硅薄膜的影响 | 第35-39页 |
| ·常规高温炉与快速光退火比较 | 第35-36页 |
| ·掺杂对固相晶化的影响 | 第36-39页 |
| ·结论 | 第39-40页 |
| 第四章 RF-PECVD法制备多晶硅薄膜 | 第40-55页 |
| ·氢稀释度D(硅烷浓度) | 第40-44页 |
| ·衬底温度 | 第44-47页 |
| ·衬底材料 | 第47-50页 |
| ·等离子体功率 | 第50-53页 |
| ·反应气体压强 | 第53-55页 |
| 第五章 总结与讨论 | 第55-57页 |
| ·本论文主要实验结果总结如下 | 第55页 |
| ·有待进一步开展的工作 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 硕士期间发表的论文 | 第64页 |
