| 引言 | 第1-11页 |
| 第一章 硒化镉晶体与探测器概述 | 第11-15页 |
| ·CdSe 的基本特性 | 第11-12页 |
| ·CdSe 探测器研究状况 | 第12-14页 |
| ·小结 | 第14-15页 |
| 第二章 硒化镉单晶体生长原料的提纯及其杂质分析 | 第15-33页 |
| ·杂质对半导体材料性质的影响 | 第15-24页 |
| ·杂质浓度和载流子浓度的关系 | 第16-18页 |
| 1. 杂质能级上的电子和空穴 | 第16-17页 |
| 2. n-型半导体的载流子浓度 | 第17-18页 |
| ·杂质和载流子迁移率的关系 | 第18-19页 |
| ·少数载流子寿命与杂质的关系 | 第19-20页 |
| ·杂质能级对极化效应的影响 | 第20-21页 |
| ·减小杂质浓度对制作CdSe 单晶核辐射探测器的意义 | 第21-23页 |
| 1. 体漏电流 | 第21-22页 |
| 2. 扩散漏电流 | 第22页 |
| 3. 电荷收集 | 第22-23页 |
| ·提高原料纯度是生长CdSe 单晶的必要条件 | 第23页 |
| ·小结 | 第23-24页 |
| ·半导体杂质分析的常用检测手段 | 第24-27页 |
| 1. 电感耦合等离子体原子发射光谱仪(ICP-AES) | 第24-25页 |
| 2. 电感耦合等离子体质谱仪(ICP-MS) | 第25-26页 |
| 3. 辉光放电质谱仪(GD-MS) | 第26-27页 |
| 4. 小结 | 第27页 |
| ·CdSe 单晶生长原料的提纯与杂质分析 | 第27-33页 |
| ·连续抽空提纯 | 第28-29页 |
| ·区域升华提纯 | 第29页 |
| ·单晶的生长 | 第29-30页 |
| ·提纯方法的改进 | 第30页 |
| ·杂质分析和结果讨论 | 第30-32页 |
| ·小结 | 第32页 |
| ·工作展望 | 第32-33页 |
| 第三章 硒化镉标准极图绘制的计算机实现 | 第33-56页 |
| ·选题背景及可行性 | 第33-35页 |
| ·选题背景 | 第33-34页 |
| 1. 测定单晶取向(为晶体定向) | 第33-34页 |
| 2. 确定未知晶体 | 第34页 |
| 3. 确定未知晶面 | 第34页 |
| 4. 可以一目了然反映晶体中晶面的对称关系 | 第34页 |
| ·可行性步骤 | 第34-35页 |
| ·晶体投影概述 | 第35-39页 |
| ·晶面极射赤面投影 | 第35-38页 |
| 1. 球面投影 | 第35-36页 |
| 2. 极射赤面投影 | 第36-38页 |
| ·手工绘制标准极图的方法及其弊端 | 第38-39页 |
| ·计算机绘制标准极图的原理和方法 | 第39-45页 |
| ·数学过程 | 第39-40页 |
| ·立方晶系(001)面标准极图的绘制 | 第40-42页 |
| ·立方晶系其他晶面标准极图的绘制 | 第42-44页 |
| ·四方晶系晶面标准极图的绘制 | 第44-45页 |
| ·计算机编程及所绘制的极图 | 第45-55页 |
| ·小结 | 第55页 |
| ·工作展望 | 第55-56页 |
| 结论 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-61页 |
| 发表的论文及参与的科研项目 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
| 声明 | 第63页 |