| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-14页 |
| ·导电陶瓷 | 第8-10页 |
| ·敏感陶瓷 | 第10-11页 |
| ·La_(0.5)Sr_(0.5)CoO_3性质及其应用 | 第11-14页 |
| 第二章 脉冲激光沉积(PLD)技术 | 第14-28页 |
| ·脉冲激光沉积薄膜发展 | 第14-17页 |
| ·PLD法制备薄膜的设备及其特点 | 第17-19页 |
| ·PLD法制备薄膜的设备 | 第17-18页 |
| ·PLD法制备薄膜的技术特点 | 第18-19页 |
| ·PLD法薄膜制备技术的研究现状 | 第19-25页 |
| ·PLD法薄膜制备技术的理论研究 | 第19-22页 |
| ·工艺的研究进展 | 第22-23页 |
| ·PLD法制备薄膜新材料的研究进展 | 第23-25页 |
| ·PLD薄膜技术的发展趋势及应用前景 | 第25页 |
| ·准分子激光原理 | 第25-28页 |
| 第三章 La_(0.5)Sr_(0.5)CoO_3薄膜的制备 | 第28-41页 |
| ·镀膜设备及原材料 | 第28-31页 |
| ·镀膜设备 | 第28-29页 |
| ·靶材 | 第29页 |
| ·衬底 | 第29-31页 |
| ·镀膜工艺流程 | 第31-33页 |
| ·薄膜制备工艺参数的选择 | 第33-37页 |
| ·SiO_2／Si衬底上生长LSCO薄膜激光参数的选择 | 第33-36页 |
| ·LAO衬底上生长LSCO薄膜激光参数的选择 | 第36-37页 |
| ·LSCO薄膜的表征 | 第37-39页 |
| ·薄膜的电阻率 | 第39页 |
| ·小结 | 第39-41页 |
| 第四章 生长在SiO_2／Si衬底上LSCO薄膜的性质研究 | 第41-50页 |
| ·浸水对LSCO／SiO_2／Si薄膜的电阻的影响 | 第41-43页 |
| ·湿度对LSCO／SiO_2／Si薄膜的电阻的影响 | 第43-47页 |
| ·温度对LSCO／SiO_2／Si薄膜的电阻的影响 | 第47-49页 |
| ·小结 | 第49-50页 |
| 第五章 生长在LAO衬底上LSCO薄膜的性质研究 | 第50-62页 |
| ·LITV简述 | 第50-54页 |
| ·LITV的发现及其理论的发展 | 第50-52页 |
| ·LITV公式 | 第52-53页 |
| ·LITV效应的应用 | 第53-54页 |
| ·LSCO／LAO薄膜表征以及LITV信号测量及分析 | 第54-61页 |
| ·LSCO／LAO薄膜的XRD图谱表征 | 第54页 |
| ·LSCO／LAO薄膜的LITV信号的测量 | 第54-56页 |
| ·LSCO／LAO薄膜的LITV信号的测量结果及分析 | 第56-59页 |
| ·不同配比La_(1-x)Sr_xCoO_3(x=0.3，0.6)薄膜LITV | 第59-61页 |
| ·小结 | 第61-62页 |
| 第六章 结论 | 第62-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-70页 |
| 附录Ⅰ：攻读学位期间发表的论文及获奖情况 | 第70页 |
