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硅太阳电池少数载流子寿命研究与测量

摘要第1-7页
1 前言第7-28页
 1.1 环境保护与太阳能利用第7-8页
 1.2 太阳电池与我国的光伏发电技术第8-11页
 1.3 晶体硅太阳电池的工作原理与工艺第11-17页
  1.3.1 工作原理第11-15页
  1.3.2 晶体硅太阳电池工艺第15-17页
 1.4 非平衡少数载流子寿命对太阳电池的影响与测试技术第17-26页
  1.4.1 非平衡少数载流子第17-18页
  1.4.2 少数载流子寿命第18页
  1.4.3 少数载流子寿命对太阳电池的影响第18-19页
  1.4.4 少数载流子寿命测试技术第19-26页
 1.5 本文的研究意义、创新点和研究内容第26-28页
  1.5.1 研究意义第26页
  1.5.2 研究的主要创新点第26-27页
  1.5.3 研究内容第27-28页
2 少数载流子寿命测量第28-38页
 2.1 理论第28-32页
  2.1.1 少数载流子寿命第28-31页
  2.1.2 影响少数载流子寿命的因素第31-32页
 2.2 模型的建立第32-36页
  2.2.1 基区少数载流子寿命τ_n值的计算第32-35页
  2.2.2 Rs和 Rsh的测量第35页
  2.2.3 计算实际的 I_0值与基区少数载流子寿命τ_n第35-36页
 2.3 实验备片要求第36-38页
3 实验第38-56页
 3.1 硅片清洗及绒面腐蚀第38-40页
 3.2 p-n结的制备第40-43页
 3.3 氧化及表面钝化第43-51页
  3.3.1 氧化原理与方法第43-46页
  3.3.2 氧化膜厚的测量原理第46-50页
  3.3.3 不同钝化条件下氧化膜的厚度第50-51页
 3.4 镀减反射膜第51-52页
 3.5 制备电极第52-54页
  3.5.1 丝网印刷第53页
  3.5.2 电极材料的选择第53-54页
  3.5.3 电极的烧结第54页
 3.6 激光切割去周边第54-55页
 3.7 I-V特性测试第55-56页
4 结果与讨论第56-64页
 4.1 结果第56-62页
  4.1.1 成品太阳电池 I-V测试得到的少数载流子寿命第56-57页
  4.1.2 工艺过程监控基区少数载流子寿命测量第57-60页
  4.1.3 开路电压衰减法与 I-V特性测试法测量结果对比第60-61页
  4.1.4 不同扩散条件和不同氧化条件少数载流子寿命测试结果第61-62页
  4.1.5 变光强条件少数载流子寿命结果第62页
 4.2 讨论及分析第62-64页
  4.2.1 讨论第62-63页
  4.2.2 影响测量结果因素第63页
  4.2.3 结论第63-64页
5 展望第64-65页
参考文献第65-68页
攻读硕士期间发表论文第68-69页
致谢第69页

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