垂直沟道偶载场效应晶体管（VDCFET）的研究
| 第一章 绪论 | 第1-11页 |
| ·偶载场效应晶体管提出及研究的背景和意义 | 第9-10页 |
| ·本论文主要工作 | 第10-11页 |
| 第二章 偶载场效应管及相关研究的发展动态 | 第11-24页 |
| ·双极晶体管与MOS晶体管 | 第11-14页 |
| ·双极晶体管的基本结构和工作原理 | 第11-13页 |
| ·MOS场效应晶体管 | 第13-14页 |
| ·双极器件的特点 | 第14页 |
| ·偶载场效应管(VDCFET)的工作原理 | 第14-21页 |
| ·基本结构 | 第15页 |
| ·有效沟道长度 | 第15-16页 |
| ·大注入下的电场效应 | 第16-20页 |
| ·接触区横向电阻与电流集边效应 | 第20页 |
| ·电压输入与跨导(g_m) | 第20-21页 |
| ·偶载场效应管与双极器件及MOS器件的区别 | 第21页 |
| ·偶载场效应器件及相关研究的现状和结果分析 | 第21-24页 |
| 第三章 偶载场效应管的器件物理研究 | 第24-54页 |
| ·半导体器件数值模拟方法 | 第24-31页 |
| ·漂移扩散物理模型 | 第24-27页 |
| ·半导体器件方程的归一化 | 第27-28页 |
| ·边界条件 | 第28-29页 |
| ·二维方程组的求解 | 第29-30页 |
| ·参数提取 | 第30-31页 |
| ·器件的几何结构、掺杂分布和网格划分 | 第31页 |
| ·源结不同偏置下的电势和载流子分布 | 第31-39页 |
| ·有效接触区宽度 | 第39-41页 |
| ·大注入下的电场效应 | 第41-49页 |
| ·有效接触区内的电场分布 | 第41-45页 |
| ·大注入下有效接触区中的纵向电流分布及电流沟道 | 第45-49页 |
| ·VDCFET直流特性分析 | 第49-52页 |
| ·输入输出特性 | 第49-50页 |
| ·电流增益和跨导 | 第50-51页 |
| ·接触区渡越时间 | 第51-52页 |
| ·本章小结 | 第52-54页 |
| 第四章 偶载场效应晶体管的优化设计 | 第54-67页 |
| ·接触区结构参数对器件性能的影响 | 第54-64页 |
| ·接触区宽度对跨导和电流增益的影响 | 第54-57页 |
| ·接触区掺杂浓度对跨导和电流增益的影响 | 第57-59页 |
| ·接触区中渐变掺杂对跨导和电流增益的影响 | 第59-61页 |
| ·外接触区横向尺寸对跨导和电流增益的影响 | 第61-64页 |
| ·漏区结构参数对器件性能的影响 | 第64-67页 |
| 第五章 偶载场效应晶体管的实验研制 | 第67-84页 |
| ·器件设计 | 第67-68页 |
| ·纵向结构设计 | 第67页 |
| ·横向结构和版图设计 | 第67-68页 |
| ·半导体Si中的离子掺杂注入 | 第68-70页 |
| ·非晶靶的射程分布模型 | 第69页 |
| ·单晶靶的射程分布 | 第69页 |
| ·多次离子注入 | 第69页 |
| ·注入离子非对称分布的影响 | 第69-70页 |
| ·退火 | 第70-72页 |
| ·两步退火 | 第71页 |
| ·退火条件的确定 | 第71-72页 |
| ·载流子剖面分布 | 第72-73页 |
| ·导电类型的测量 | 第72-73页 |
| ·结深的测量 | 第73页 |
| ·载流子浓度的测量 | 第73页 |
| ·全离子注入纵向结构的实现 | 第73-76页 |
| ·SOI衬底上npn偶载晶体管的研制 | 第76-78页 |
| ·台面结构的实现 | 第76页 |
| ·工艺流程 | 第76-78页 |
| ·npn器件直流特性及分析 | 第78-82页 |
| ·输入和输出特性 | 第78-80页 |
| ·跨导和电流放大倍数 | 第80-82页 |
| ·VDCFET在电路中的应用 | 第82-83页 |
| ·反相器 | 第82页 |
| ·双稳态电路(Flip-Flop) | 第82-83页 |
| ·本章小结 | 第83-84页 |
| 第六章 结论 | 第84-86页 |
| 附录 | 第86-91页 |
| 参考文献 | 第91-94页 |
| 攻读学位期间发表的论文 | 第94-95页 |
| 致谢 | 第95页 |
