| 致谢 | 第1-6页 |
| 中文摘要 | 第6-8页 |
| ABSTRACT | 第8-10页 |
| 序 | 第10-11页 |
| 目录 | 第11-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-21页 |
| ·引言 | 第13-14页 |
| ·研究背景及意义 | 第14-15页 |
| ·GaN材料的基本性质 | 第15-18页 |
| ·本论文的研究内容 | 第18-21页 |
| 第二章 GaN外延生长表征设备和生长原理介绍 | 第21-37页 |
| ·MOCVD设备和各表征设备介绍 | 第21-31页 |
| ·MOCVD | 第21-25页 |
| ·光致发光(PL) | 第25-27页 |
| ·电致发光(EL) | 第27-28页 |
| ·X射线衍射仪(Xrd) | 第28-30页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第30-31页 |
| ·GaN成膜原理和控制理论 | 第31-36页 |
| ·GaN的基本生长原理 | 第31-34页 |
| ·参数对GaN生长的影响 | 第34-36页 |
| ·本章小结 | 第36-37页 |
| 第三章 缓冲层的生长特性研究 | 第37-49页 |
| ·图形蓝宝石的外延生长 | 第37-39页 |
| ·成核厚度对外延生长的影响 | 第39-43页 |
| ·缓冲层压力对外延生长的影响 | 第43-45页 |
| ·生长速率对外延生长的影响 | 第45-46页 |
| ·本章小结 | 第46-49页 |
| 第四章 nGaN层生长特性研究 | 第49-57页 |
| ·Si掺杂理论 | 第49-51页 |
| ·AlGaN/GaN插入层对晶体质量的影响 | 第51-53页 |
| ·nGaN电流扩展对晶体电学特性的影响 | 第53-54页 |
| ·本章小结 | 第54-57页 |
| 第五章 InGaN/GaN量子阱生长特性研究 | 第57-67页 |
| ·InGaN/GaN的发光机理 | 第57-59页 |
| ·InGaN/GaN的外延生长 | 第59-64页 |
| ·温度对InGaN/GaN量子阱生长的影响 | 第59-60页 |
| ·TEGa流量对InGaN/GaN量子阱生长的影响 | 第60-62页 |
| ·压力对InGaN/GaN量子阱生长的影响 | 第62-63页 |
| ·NH_3流量对InGaN/GaN量子阱生长的影响 | 第63-64页 |
| ·插入InGaN/GaN SLS预阱对MQW的影响 | 第64-66页 |
| ·本章小结 | 第66-67页 |
| 结论 | 第67-69页 |
| 参考文献 | 第69-73页 |
| 作者简历 | 第73-75页 |
| 学位论文数据集 | 第75页 |
