| 致谢 | 第1-6页 |
| 中文摘要 | 第6-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 序 | 第8-9页 |
| 目录 | 第9-11页 |
| 1 引言 | 第11-19页 |
| ·能源危机和环境污染 | 第11页 |
| ·太阳能光伏发电的研究和应用历史 | 第11-13页 |
| ·太阳能电池的研究和发展 | 第13-18页 |
| ·单晶硅太阳能电池 | 第13-14页 |
| ·多晶硅太阳能电池 | 第14-15页 |
| ·非晶硅薄膜太阳能电池 | 第15页 |
| ·化合物半导体太阳能电池 | 第15-18页 |
| ·本篇论文主要研究内容 | 第18-19页 |
| 2 晶体硅太阳能电池的基本原理 | 第19-53页 |
| ·太阳能光电转换原理 | 第19-23页 |
| ·半导体材料的光吸收 | 第19页 |
| ·光生伏特效应 | 第19-20页 |
| ·太阳能发电的优点 | 第20页 |
| ·太阳能电池的特性 | 第20-23页 |
| ·晶体硅太阳能电池制备工艺 | 第23-53页 |
| ·制绒 | 第24-30页 |
| ·扩散-pn结制备 | 第30-35页 |
| ·刻蚀 | 第35-37页 |
| ·去磷硅玻璃 | 第37-39页 |
| ·制备减反射钝化膜 | 第39-44页 |
| ·丝网印刷 | 第44-48页 |
| ·烧结 | 第48-50页 |
| ·测试分选 | 第50-53页 |
| 3 PECVD镀膜工艺中影响成膜质量的几个关键因素 | 第53-71页 |
| ·PECVD设备 | 第53-56页 |
| ·管式PECVD设备 | 第53-54页 |
| ·板式PECVD设备 | 第54-55页 |
| ·管式PECVD设备的主要性能参数以及结构组成 | 第55-56页 |
| ·石墨舟设备 | 第56-57页 |
| ·测试设备 | 第57-61页 |
| ·椭偏仪 | 第58-59页 |
| ·D8反射仪 | 第59-60页 |
| ·WT-2000少子寿命测试仪 | 第60-61页 |
| ·管式PECVD总气体流量、压强、射频功率对成膜质量的影响 | 第61-67页 |
| ·反应腔室内气体的运动 | 第61-62页 |
| ·实验方法及实验结果分析 | 第62-67页 |
| ·石墨舟间距对成膜均匀性的影响 | 第67-70页 |
| ·本章总结 | 第70-71页 |
| 4 多晶硅太阳能电池氢等离子体预处理及退火工艺研究 | 第71-85页 |
| ·钝化机理介绍 | 第71-75页 |
| ·半导体内的复合机制 | 第71-72页 |
| ·钝化机理 | 第72-73页 |
| ·几种钝化技术简介 | 第73-75页 |
| ·氢等离子体预处理对多晶硅电池电性能以及少子寿命的影响 | 第75-81页 |
| ·预处理时间对电池电性能以及少子寿命的影响 | 第76-77页 |
| ·预处理功率对电池电性能以及少子寿命的影响 | 第77-78页 |
| ·预处理温度对电池电性能以及少子寿命的影响 | 第78-79页 |
| ·预处理压强对电池电性能以及少子寿命的影响 | 第79-81页 |
| ·退火工艺对氮化硅膜钝化效果、电池电性能以及效率的影响 | 第81-83页 |
| ·最佳氢钝化方式的研究 | 第81-82页 |
| ·退火工艺对少子寿命和电学性能的影响 | 第82-83页 |
| ·本章总结 | 第83-85页 |
| 5 总结 | 第85-87页 |
| 参考文献 | 第87-89页 |
| 作者简历 | 第89-93页 |
| 学位论文数据集 | 第93页 |
