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中性原子的双阱磁囚禁及其应用

第一章、 文献综述:中性原子的光学与磁囚禁第1-38页
 1.1 引言第8-9页
 1.2 中性原子的光学囚禁第9-16页
  1.2.1 红失谐高斯光束囚禁第9-10页
  1.2.2 红失谐交叉偶极力光学囚禁第10-11页
  1.2.3 蓝失谐消逝波重力光学囚禁第11-14页
  1.2.4 蓝失谐Dougnhut光束囚禁第14-15页
  1.2.5 蓝失谐中空光束重力光学囚禁第15-16页
 1.3 中性原子的磁囚禁第16-31页
  1.3.1 宏观静磁原子囚禁第16-24页
   1.3.1-1 四极磁阱第17-18页
   1.3.1-2 Ioffe磁阱第18-19页
   1.3.1-3 永久磁铁Ioffe阱第19-20页
   1.3.1-4 时间平均轨道势(TOP)阱第20-21页
   1.3.1-5 四极—Plug光束磁光混合阱第21-22页
   1.3.1-6 四极—Ioffe(QUIC)磁阱第22-24页
   1.3.1-7 丁香叶(Cloverleaf)磁阱第24页
  1.3.2 介观或微观静磁表面囚禁第24-28页
   1.3.2-1 三种平面Ioffe微磁阱第24-25页
   1.3.2-2 四极微磁阱第25-27页
   1.3.2-3 载流直导线微磁阱第27-28页
   1.3.2-4 U型或Z型载流导线微磁阱第28页
  1.3.3 微波或交流磁囚禁第28-31页
   1.3.3-1 共振微波辐射囚禁第28-30页
   1.3.3-2 交流磁囚禁第30-31页
 1.4 原子囚禁的应用第31-36页
  1.4.1 玻色-爱因斯坦凝聚(BEC)第31-33页
  1.4.2 原子芯片第33-36页
 参考文献第36-38页
第二章、 冷原子的双磁微囚禁及其潜在应用第38-64页
 2.1 引言第38-40页
 2.2 串联耦合的Ioffe型双阱磁囚禁第40-48页
  2.2.1 可控制的原子磁囚禁方案第40页
  2.2.2 磁场空间分布的理论计算第40-43页
  2.2.3 单阱磁场分布、场梯度与曲率及其囚禁势的计算与分析第43-48页
 2.3 双Z型载流导线构成的双阱微磁表面囚禁第48-56页
  2.3.1 可控制的原子表面磁囚禁方案第48-49页
  2.3.2 磁场空间分布的理论计算第49-51页
  2.3.3 囚禁中心位置(x_o,y_o)与直导线中电流I_2的关系第51-52页
  2.3.4 单阱磁场分布、场梯度与曲率及其囚禁势的计算与分析第52-56页
 2.4 关于实验可行性的讨论第56-59页
  2.4.1 载流导线的微制作与冷却第56-57页
  2.4.2 双阱微磁囚禁中冷原子的装载第57-58页
  2.4.3 双磁阱中冷原子的碰撞机制及其损耗速率第58-59页
 2.5 双阱微磁原子囚禁的潜在应用第59-61页
  2.5.1 双样品BEC的制备第59页
  2.5.2 双样品冷原子间感应平衡冷却的实验研究第59-60页
  2.5.3 双阱中原子BEC性质的实验研究第60页
  2.5.4 双样品MOT的实验制备第60页
  2.5.5 双样品原子间的冷碰撞研究第60-61页
 2.6 本章小结第61页
 参考文献第61-64页
第三章、 中性原子的双阱表面磁光囚禁及其可能应用第64-83页
 3.1 引言第64-65页
 3.2 双U-Z型载流导线原子囚禁第65-71页
  3.2.1 可控制的原子磁光囚禁方案第65-66页
  3.2.2 磁场空间分布的理论计算第66-69页
  3.2.3 单阱磁场分布与梯度及其囚禁势的计算与分析第69-71页
 3.3 双U-U型载流导线囚禁方案第71-77页
  3.3.1 可控制的原子磁光囚禁方案第71-72页
  3.3.2 磁场空间分布的理论计算第72-75页
  3.3.3 单阱磁场分布与梯度及其囚禁势的计算与分析第75-77页
 3.4 双MOT性能的理论分析第77-80页
  3.4.1 阻尼力和回复力的计算第77-78页
  3.4.2 双MOT中囚禁原子数的估计第78-79页
  3.4.3 双MOT中囚禁原子的冷却温度第79-80页
 3.5 实验可行性讨论及其应用第80-81页
 3.6 结论第81-82页
 参考文献第82-83页
第四章、研究工作的总结第83-85页
附录: 硕士阶段发表与待发表的论文目录第85-86页
致谢第86页

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