| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-10页 |
| 引言 | 第10-12页 |
| 第一章 非线性控制器对束晕－混沌控制的研究状况 | 第12-24页 |
| ·数值模拟研究的理论模型 | 第12-14页 |
| ·束 束晕－混沌可控性的定性理论分析 | 第14-15页 |
| ·束晕－混沌非线性反馈控制方法的研究状况 | 第15-23页 |
| ·小波函数控制器对束晕-混沌控制的研究状况 | 第15-17页 |
| ·延迟反馈控制器对束晕-混沌控制的研究状况 | 第17-19页 |
| ·自适应控制器对束晕-混沌控制的研究状况 | 第19-21页 |
| ·对数函数控制器对束晕-混沌控制的研究状况 | 第21-23页 |
| 小结 | 第23-24页 |
| 第二章 束晕－混沌控制中离子跟踪的研究状况 | 第24-32页 |
| ·K-V 分布下，束晕-混沌控制前后离子跟踪的研究状况 | 第24-27页 |
| ·五种初始分布下，强流离子束中单离子运动规律的研究状况 | 第27-31页 |
| ·控制前五种初始分布下，跟踪离子横向运动的情况 | 第27-29页 |
| ·控制后五种初始分布下，跟踪离子横向运动的情况 | 第29-31页 |
| 小结 | 第31-32页 |
| 第三章 非线性控制器实现束晕-混沌控制时间的模拟研究 | 第32-39页 |
| ·本章使用的主要模拟参数的定义及其相互关系 | 第32-34页 |
| ·P C 程序中随机函数的修改 | 第34页 |
| ·失匹配因子取M=2.0，填充因子取Γ= 0.8 时，四种控制器实现束晕-混沌控制所需时间的模拟研究及其结果 | 第34-36页 |
| ·失匹配因子取M=1.5，填充因子取Γ=0.4 时，四种控制器实现束晕-混沌控制所需时间的模拟研究及其结果 | 第36-37页 |
| ·对结果的两点讨论 | 第37-39页 |
| 第四章 有初始晕度情况下使用对数函数控制器控制束晕的可能性探讨 | 第39-50页 |
| ·四种控制器所提供的控制力方向的认定 | 第39-40页 |
| ·四种控制器控制下，离子受力和运动情况及实现束晕控制快慢原因的分析 | 第40-46页 |
| ·延迟反馈控制下离子的总受力情况和运动状态的变化 | 第40-43页 |
| ·其它三种控制器控制下，离子的总受力情况和运动状态的变化 | 第43-46页 |
| ·对数函数控制器的改进及其实现束晕控制所需要的时间 | 第46-50页 |
| ·对数函数控制器函数形式的修改 | 第46-47页 |
| ·改进的对数函数控制器控制效果的数值模拟研究 | 第47-49页 |
| ·小结 | 第49-50页 |
| 总结 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-57页 |
| 攻读硕士学位期间论文发表情况: | 第57-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
