二维电子倍增器及其新技术研究
| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-10页 |
| 目录 | 第10-14页 |
| 第一章 二维电子倍增器技术概述 | 第14-29页 |
| ·引言 | 第14-17页 |
| ·微光成像与夜视技术 | 第14-16页 |
| ·MEMS及其工艺技术 | 第16-17页 |
| ·微通道板电子倍增器技术概述 | 第17-24页 |
| ·微通道板电子倍增器简介 | 第17-20页 |
| ·还原铅硅酸盐玻璃微通道板电子倍增器技术 | 第20-22页 |
| ·新型先进技术微通道板电子倍增器技术 | 第22-24页 |
| ·微球板电子倍增器技术概述 | 第24-26页 |
| ·微球板电子倍增器国内外发展状况 | 第24页 |
| ·微球板电子倍增器材料的选择 | 第24-25页 |
| ·微球板电子倍增器玻璃微珠的制备工艺 | 第25-26页 |
| ·本论文的主要研究工作与进展 | 第26-29页 |
| 第二章 新型微通道板电子倍增器先进技术研究 | 第29-48页 |
| ·引言 | 第29-31页 |
| ·先进技术微通道板技术背景 | 第29页 |
| ·先进技术微通道板关键技术 | 第29页 |
| ·先进技术微通道板技术特点 | 第29-30页 |
| ·先进技术微通道板工艺流程和要求 | 第30-31页 |
| ·反应离子刻蚀原理与技术 | 第31-37页 |
| ·等离子体产生的物理机制 | 第31-33页 |
| ·基体表面反应机制 | 第33-34页 |
| ·高密度反应离子刻蚀原理及高长径比硅刻蚀技术 | 第34-37页 |
| ·先进技术微通道板样品的关键制备工艺研究 | 第37-40页 |
| ·微通道阵列刻蚀工艺 | 第37-38页 |
| ·连续打拿极的制备工艺 | 第38-39页 |
| ·电极的制备工艺 | 第39-40页 |
| ·先进技术微通道板样品的测试及其结果分析 | 第40-47页 |
| ·试验样品的几何形貌与特性参数测试 | 第40-41页 |
| ·刻蚀速率迟滞效应 | 第41-43页 |
| ·钻蚀效应 | 第43-46页 |
| ·影响体电阻和电子增益的因素 | 第46-47页 |
| ·本章小结 | 第47-48页 |
| 第三章 硅微通道阵列微加工技术理论及其实验研究 | 第48-91页 |
| ·引言 | 第48-54页 |
| ·电解液的电子能级 | 第48-50页 |
| ·半导体和电解液界面 | 第50页 |
| ·半导体电极的平带电位 | 第50-52页 |
| ·半导体电极的氧化还原反应 | 第52-53页 |
| ·半导体电极的光效应 | 第53-54页 |
| ·硅微通道阵列微加工技术的工艺原理及其相关理论 | 第54-65页 |
| ·基体材料的选取原则 | 第54-55页 |
| ·硅基片的热氧化工艺原理 | 第55-57页 |
| ·硅基片的光刻工艺原理 | 第57-59页 |
| ·硅基片的各向异性湿法刻蚀原理 | 第59-61页 |
| ·硅基片的电化学湿刻工艺原理 | 第61-65页 |
| ·硅微通道阵列微加工技术的工艺过程 | 第65-70页 |
| ·基体材料的选取及硅基片的前期处理 | 第65页 |
| ·硅基片的热氧化工艺过程 | 第65-66页 |
| ·硅基片的光刻工艺过程 | 第66-67页 |
| ·诱导坑湿法刻蚀工艺过程 | 第67-68页 |
| ·硅微通道阵列电化学刻蚀工艺过程 | 第68-70页 |
| ·硅微通道阵列微加工技术的实验结果与分析 | 第70-80页 |
| ·热氧化工艺对掩膜的影响 | 第70-71页 |
| ·前烘工艺对显影的影响 | 第71-73页 |
| ·缓冲氢氟酸腐蚀剂BHF对掩膜刻蚀的影响 | 第73-74页 |
| ·掩膜图案排列方向对诱导坑形成的影响 | 第74页 |
| ·诱导坑形貌及对电化学刻蚀的影响 | 第74-75页 |
| ·表面杂质对电化学刻蚀的影响 | 第75-76页 |
| ·电化学过程中的伏安特性分析 | 第76-77页 |
| ·光照强度对光电化学刻蚀的影响 | 第77-78页 |
| ·氢氟酸浓度对电化学刻蚀的影响 | 第78-79页 |
| ·电化学过程中存在的边缘效应 | 第79-80页 |
| ·硅/HF溶液界面物理、化学与光电流特性研究 | 第80-90页 |
| ·光电流与光辐照强度的关系 | 第80页 |
| ·硅在HF溶液中的表面结构 | 第80-81页 |
| ·硅/HF界面光电化学反应的中间产物 | 第81-83页 |
| ·光电流形成的化学过程 | 第83-84页 |
| ·硅阳极氧化溶解的电化学特性 | 第84-85页 |
| ·多孔硅形成的物理模型 | 第85-86页 |
| ·局部电流脉冲模型 | 第86-88页 |
| ·硅微通道阵列形成的物理化学机制研究 | 第88-89页 |
| ·硅大孔深通道形成的反应速率机制探讨 | 第89-90页 |
| ·本章小结 | 第90-91页 |
| 第四章 微球板电子倍增器及其技术研究 | 第91-118页 |
| ·引言 | 第91-93页 |
| ·课题研究意义 | 第91页 |
| ·微球板电子倍增器研究的主要内容 | 第91-92页 |
| ·微球板电子倍增器结构 | 第92页 |
| ·微球板电子倍增器的特性 | 第92-93页 |
| ·微球板电子倍增器的基本理论研究 | 第93-104页 |
| ·微球板工作的MONTE-CARLO模型 | 第93-95页 |
| ·密堆积理论 | 第95-98页 |
| ·烧结现象 | 第98页 |
| ·烧结的驱动力和物质传质 | 第98-102页 |
| ·玻璃微珠烧结模型及烧结速率的理论研究 | 第102-104页 |
| ·微球板电子倍增器制备工艺研究 | 第104-112页 |
| ·玻璃粉料的制备工艺 | 第104-106页 |
| ·玻璃微珠的制备工艺 | 第106-108页 |
| ·微球板基体的制备工艺 | 第108-110页 |
| ·微球板连续打拿极的制备工艺 | 第110页 |
| ·微球板电极的制备工艺 | 第110-112页 |
| ·微球板电子倍增器制备实验分析和讨论 | 第112-116页 |
| ·还原扩散过程的动力学分析 | 第112-113页 |
| ·玻璃微珠的成型分析 | 第113-114页 |
| ·微球板电子倍增器基体制备的分析 | 第114-116页 |
| ·打拿极和端面电极的形成和测试分析 | 第116页 |
| ·本章小结 | 第116-118页 |
| 第五章 结论及展望 | 第118-121页 |
| ·论文主要研究工作和结论 | 第118-119页 |
| ·本论文的创新点 | 第119-120页 |
| ·问题与展望 | 第120-121页 |
| 致谢 | 第121-122页 |
| 参考文献 | 第122-128页 |
| 攻读博士学位期间发表的学术论文 | 第128-130页 |
| 攻读博士学位期间的科研情况 | 第130页 |
