表面后处理对原子层淀积HfO2介质的高密度MIM电容性能改善研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 文中使用的主要首字母缩写词 | 第8-9页 |
| 第一章 引言 | 第9-19页 |
| ·MIM电容研究的进展 | 第9-13页 |
| ·电容器在集成电路中的应用 | 第9-11页 |
| ·金属-绝缘体-金属电容的技术要求 | 第11-13页 |
| ·高k介质层材料和淀积方法的选取 | 第13-17页 |
| ·挑战和依然存在的问题 | 第17-18页 |
| ·本文贡献及各章概要 | 第18-19页 |
| 第二章 MIM电容的特性 | 第19-23页 |
| ·MIM电容物理与化学特性的表征 | 第19-20页 |
| ·原子力显微镜 | 第19页 |
| ·X射线光电子能谱(XPS) | 第19-20页 |
| ·导电机理的研究 | 第20-23页 |
| 第三章 等离子体氟化对MIM电容性能的改善研究 | 第23-34页 |
| ·背景 | 第23页 |
| ·实验方法 | 第23-24页 |
| ·结果与讨论 | 第24-34页 |
| ·表面形貌的变化 | 第24-25页 |
| ·化学组成与结合能研究 | 第25-28页 |
| ·电学特性研究 | 第28-34页 |
| 第四章 氨气热处理氮化对MIM电容性能的影响 | 第34-43页 |
| ·背景 | 第34页 |
| ·实验方法 | 第34页 |
| ·氮化结果与讨论 | 第34-40页 |
| ·化学组成与结合能分析 | 第34-37页 |
| ·电学特性研究 | 第37-40页 |
| ·淀积温度对ALD HfO_2介质的影响 | 第40-43页 |
| 第五章 全文总结 | 第43-44页 |
| 参考文献 | 第44-52页 |
| 硕士期间发表的相关论文 | 第52-53页 |
| 致谢 | 第53-54页 |
