| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 1 绪论 | 第10-16页 |
| ·研究背景 | 第10-11页 |
| ·爆炸箔冲击片起爆回路用高压开关研究进展 | 第11-15页 |
| ·三电极火花隙开关 | 第11-12页 |
| ·触发真空开关 | 第12页 |
| ·半导体开关 | 第12-13页 |
| ·平面开关 | 第13-14页 |
| ·单触发开关 | 第14-15页 |
| ·本文主要研究内容 | 第15-16页 |
| 2 平面固态开关的设计及其制作工艺研究 | 第16-24页 |
| ·平面固态开关的设计 | 第16页 |
| ·平面固态开关的制备方法 | 第16-18页 |
| ·平面固态开关的制作 | 第18-23页 |
| ·实验主要设备及其材料 | 第18-19页 |
| ·平面固态开关的制备流程及工艺条件 | 第19-23页 |
| ·小结 | 第23-24页 |
| 3 开关触发极等离子体特性研究 | 第24-35页 |
| ·开关触发极的结构设计与制备 | 第24页 |
| ·触发回路设计 | 第24-26页 |
| ·触发回路简介 | 第24-25页 |
| ·触发回路电感、电阻的测量 | 第25-26页 |
| ·Cu桥膜的电爆伏安特性 | 第26-28页 |
| ·Cu桥膜等离子体强度和尺寸 | 第28-29页 |
| ·Cu桥膜等离子体发射光谱分析 | 第29-30页 |
| ·Cu桥膜等离子体电子温度和电子密度的测量 | 第30-34页 |
| ·理论基础 | 第30-32页 |
| ·Cu桥膜等离子体电子温度 | 第32-33页 |
| ·Cu桥膜等离子体电子密度 | 第33页 |
| ·Boltzmann图谱法以及局部热力学平衡的验证 | 第33-34页 |
| ·小结 | 第34-35页 |
| 4 平面固态开关性能研究 | 第35-55页 |
| ·平面固态开关性能测试装置 | 第36页 |
| ·平面固态开关的绝缘耐压性能 | 第36-37页 |
| ·平面固态开关延时特性 | 第37-41页 |
| ·主间隙对开关延迟时间、分散时间的影响 | 第37-39页 |
| ·主电极形状对开关延迟时间、分散时间的影响 | 第39页 |
| ·触发能量对开关延迟时间、分散时间的影响 | 第39-40页 |
| ·主间隙电场强度对开关延迟时间、分散时间的影响 | 第40-41页 |
| ·平面固态开关的电感电阻测试 | 第41-46页 |
| ·开关电感电阻的测量方法 | 第41-44页 |
| ·不同开关间隙下平面固态开关的电感电阻 | 第44-45页 |
| ·触发极不同触发能量下的平面固态开关的电感电阻 | 第45-46页 |
| ·不同主电极形状下的平面固态开关的电感电阻 | 第46页 |
| ·平面固态开关的前沿上升时间以及峰值电流分析 | 第46-49页 |
| ·开关前沿上升时间及峰值电流的测量 | 第46-47页 |
| ·平面固态开关主间隙与开关前沿上升时间及峰值电流关系 | 第47-48页 |
| ·平面固态开关主电极形状与开关前沿上升时间及峰值电流关系 | 第48页 |
| ·平面固态开关触发极能量与开关前沿上升时间及峰值电流关系 | 第48-49页 |
| ·平面固态开关主回路电流的仿真模拟 | 第49-54页 |
| ·桥箔起爆电路 | 第49-50页 |
| ·开关电感电阻数学模型 | 第50页 |
| ·EFI桥膜电阻率模型 | 第50-51页 |
| ·EFI桥膜起爆电流求解方法 | 第51页 |
| ·平面固态开关对桥膜电流的影响 | 第51-54页 |
| ·小结 | 第54-55页 |
| 5 总结与展望 | 第55-57页 |
| ·全文结论总结 | 第55-56页 |
| ·未来展望 | 第56-57页 |
| 致谢 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-61页 |
