| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 1 绪论 | 第9-16页 |
| ·纳米含能材料研究现状 | 第9-12页 |
| ·掺杂纳米级组分的含能材料 | 第9-10页 |
| ·介稳态分子间纳米复合含能材料(MIC) | 第10-12页 |
| ·Al/CuO含能复合膜的研究状况 | 第12-13页 |
| ·国外研究状况 | 第12-13页 |
| ·国内研究状况 | 第13页 |
| ·CuO纳米线的制备方法 | 第13-15页 |
| ·国外研究状况 | 第13-14页 |
| ·国内研究状况 | 第14-15页 |
| ·本论文的主要研究目标和研究内容 | 第15-16页 |
| 2 CuO纳米线的制备 | 第16-30页 |
| ·磁控溅射沉积连接层 | 第16-20页 |
| ·试验仪器与样品 | 第16-17页 |
| ·射频磁控溅射原理 | 第17页 |
| ·样品准备与磁控溅射操作步骤 | 第17-19页 |
| ·结果与讨论 | 第19-20页 |
| ·电子束蒸发沉积Cu膜 | 第20-22页 |
| ·试验仪器与样品 | 第20页 |
| ·e型电子束蒸发沉积薄膜原理 | 第20-21页 |
| ·操作步骤 | 第21-22页 |
| ·热退火制备CuO纳米线 | 第22-28页 |
| ·场发射扫描电子显微镜(FE-SEM) | 第22-23页 |
| ·结果与讨论 | 第23-28页 |
| ·本章小结 | 第28-30页 |
| 3 CuO纳米线的表征与生长机理 | 第30-40页 |
| ·Cu膜热退火后的表面元素分析 | 第30-31页 |
| ·电子能谱分析(EDS)技术 | 第30页 |
| ·结果与讨论 | 第30-31页 |
| ·Cu膜热退火后成分分析 | 第31-32页 |
| ·X射线衍射(XRD)分析技术 | 第31页 |
| ·结果与讨论 | 第31-32页 |
| ·纳米线物相鉴定 | 第32-33页 |
| ·透射电子显微镜(TEM)和选区电子衍射分析(SAED) | 第32-33页 |
| ·结果与讨论 | 第33页 |
| ·CuO纳米线的生长机理 | 第33-38页 |
| ·本章小结 | 第38-40页 |
| 4 Al/CuO纳米线复合含能材料的制备与表征 | 第40-60页 |
| ·具有核-壳结构的CuO/Al纳米线复合含能材料的制备 | 第40-41页 |
| ·具有核-壳结构的CuO/Al纳米线复合含能材料的表征分析 | 第41-58页 |
| ·Al/CuO纳米线复合含能材料表征 | 第41-42页 |
| ·核-壳结构的CuO/Al纳米线复合含能材料的化学反应性分析 | 第42-48页 |
| ·Al/CuO纳米线复合含能材料的电爆性能研究 | 第48-53页 |
| ·Al/CuO纳米线复合含能材料的激光起爆试验 | 第53-58页 |
| ·结论 | 第58-60页 |
| 5 结论 | 第60-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-66页 |
| 附录 | 第66页 |
