| 致谢 | 第1-6页 |
| 中文摘要 | 第6-7页 |
| ABSTRACT | 第7-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-24页 |
| ·半导体材料的发展 | 第10-11页 |
| ·硅基发光材料的研究意义 | 第11-12页 |
| ·硅基发光的机理 | 第12-13页 |
| ·量子限域效应(Quantum Confinement Effect,QCE)模型 | 第12页 |
| ·发光中心(Luminescent Centers,LCs)模型 | 第12页 |
| ·量子限域—发光中心(QC-LCs)模型 | 第12-13页 |
| ·表面态和界面态模型 | 第13页 |
| ·直接跃迁发光模型 | 第13页 |
| ·硅基发光的研究进展 | 第13-15页 |
| ·纳米硅发光 | 第13-14页 |
| ·掺铒硅发光 | 第14-15页 |
| ·第三代半导体发光 | 第15页 |
| ·SiC半导体材料 | 第15-23页 |
| ·SiC的基本性质 | 第15-17页 |
| ·SiC发光材料的研究进展 | 第17-19页 |
| ·SiC的制备 | 第19-23页 |
| ·本文的选题意义及主要内容 | 第23-24页 |
| ·选题意义 | 第23页 |
| ·主要内容 | 第23-24页 |
| 第二章 样品的制备方法与表征手段 | 第24-28页 |
| ·样品的制备方法 | 第24-26页 |
| ·衬底的清洗 | 第24-25页 |
| ·样品的制备 | 第25-26页 |
| ·样品的表征 | 第26-27页 |
| ·傅里叶变换红外吸收(FTIR) | 第26-27页 |
| ·光致发光(PL) | 第27页 |
| ·实验设备 | 第27-28页 |
| 第三章 反应溅射制备富SiC薄膜的初步研究 | 第28-31页 |
| ·乙炔为反应气体制备富SiC的Si薄膜 | 第28页 |
| ·样品的制备 | 第28页 |
| ·实验分析 | 第28页 |
| ·甲烷为反应气体制备富SiC的Si薄膜 | 第28-30页 |
| ·样品的制备 | 第28-29页 |
| ·样品的测试分析 | 第29-30页 |
| ·本章小结 | 第30-31页 |
| 第四章 富nc-Si的SiO_2薄膜的制备与研究 | 第31-34页 |
| ·样品的制备 | 第31-32页 |
| ·样品的测试分析 | 第32-33页 |
| ·样品的PL谱分析 | 第32-33页 |
| ·样品的FTIR谱分析 | 第33页 |
| ·本章小结 | 第33-34页 |
| 第五章 富nc-SiC的SiO_2薄膜的制备与研究 | 第34-43页 |
| ·样品的制备 | 第34页 |
| ·样品的测试分析 | 第34-38页 |
| ·样品的FTIR谱分析 | 第34-37页 |
| ·样品的PL谱分析 | 第37-38页 |
| ·富nc-SiC的SiO_2薄膜等效生成过程的验证 | 第38-42页 |
| ·验证实验的设计与样品的制备 | 第39-41页 |
| ·样品的测试分析 | 第41-42页 |
| ·本章小结 | 第42-43页 |
| 第六章 结论 | 第43-45页 |
| 参考文献 | 第45-49页 |
| 作者简历 | 第49-51页 |
| 学位论文数据集 | 第51页 |
