高性能碳化硅的成型及烧结工艺研究
| 致谢 | 第1-6页 |
| 中文摘要 | 第6-7页 |
| ABSTRACT | 第7-11页 |
| 1 绪言 | 第11-28页 |
| ·碳化硅陶瓷 | 第12-14页 |
| ·碳化硅的晶体结构 | 第12页 |
| ·碳化硅陶瓷材料的性能及用途 | 第12-14页 |
| ·碳化硅陶瓷的烧结工艺 | 第14-19页 |
| ·反应烧结 | 第14页 |
| ·重结晶碳化硅 | 第14-15页 |
| ·热压烧结 | 第15页 |
| ·无压烧结 | 第15-19页 |
| ·碳化硅材料的成型工艺 | 第19-21页 |
| ·胶态成型工艺 | 第19-20页 |
| ·注浆成型 | 第20-21页 |
| ·凝胶注模成型 | 第21页 |
| ·直接凝固注模成型 | 第21页 |
| ·碳化硅浆料的制备及颗粒的表面改性 | 第21-25页 |
| ·SiC粉体的分散机理 | 第22-24页 |
| ·SiC粉体的表面改性技术 | 第24-25页 |
| ·研究内容和研究目标 | 第25-26页 |
| ·研究内容 | 第25-26页 |
| ·研究目标 | 第26页 |
| ·本研究的意义 | 第26-28页 |
| 2 碳化硅颗粒的改性及浆料的制备 | 第28-45页 |
| ·引言 | 第28页 |
| ·实验方法 | 第28-34页 |
| ·实验原料 | 第28-31页 |
| ·SiC颗粒的改性 | 第31页 |
| ·SiC浆料的制备与配方设计 | 第31-33页 |
| ·性能表征及测试 | 第33-34页 |
| ·结果分析 | 第34-44页 |
| ·SiC粉体的预处理 | 第34-36页 |
| ·SiC浆料分散剂的选择 | 第36-38页 |
| ·分散剂对SiC浆料的影响 | 第38-39页 |
| ·SiC浆料悬浮稳定性的影响因素 | 第39-42页 |
| ·SiC悬浮体系粘度的影响因素 | 第42-43页 |
| ·CMC、TMAH对坯体强度影响分析 | 第43-44页 |
| ·小结 | 第44-45页 |
| 3 注浆成型制备致密碳化硅 | 第45-58页 |
| ·引言 | 第45页 |
| ·实验方法 | 第45-48页 |
| ·实验原料及成分设计 | 第45-46页 |
| ·实验工艺流程 | 第46-47页 |
| ·性能测试与表征 | 第47-48页 |
| ·微观分析 | 第48页 |
| ·结果与讨论 | 第48-57页 |
| ·烧结温度对材料失重率的影响 | 第48-49页 |
| ·烧结温度对SiC致密性的影响 | 第49-51页 |
| ·烧结助剂添加量对SiC致密性的影响 | 第51-52页 |
| ·烧结温度对材料硬度和微观形貌的影响 | 第52-54页 |
| ·烧结助剂对材料微观形貌的影响 | 第54-57页 |
| ·本章小结 | 第57-58页 |
| 4 凝胶注模成型制备致密碳化硅 | 第58-76页 |
| ·引言 | 第58页 |
| ·实验方案 | 第58-64页 |
| ·实验原料的选择与设备 | 第58-61页 |
| ·凝胶注模成型制备SiC陶瓷工艺流程 | 第61-62页 |
| ·实验配方设计 | 第62-63页 |
| ·材料的性能测定 | 第63-64页 |
| ·结果与讨论 | 第64-74页 |
| ·脱气过程对成型坯体的影响 | 第64-65页 |
| ·引发剂用量对诱导期、凝胶化时间的影响 | 第65-66页 |
| ·单体用量对坯体性能的影响 | 第66-68页 |
| ·交联剂用量对坯体的影响 | 第68-69页 |
| ·坯体的显微结构 | 第69页 |
| ·排胶与烧结工艺参数的确定 | 第69-70页 |
| ·烧结助剂添加量对碳化硅陶瓷致密度的影响 | 第70-71页 |
| ·烧结助剂添加量对显微组织和力学性能的影响 | 第71-73页 |
| ·烧结温度对材料显微组织的影响 | 第73-74页 |
| ·本章小结 | 第74-76页 |
| 5 结论 | 第76-77页 |
| 参考文献 | 第77-80页 |
| 作者简历 | 第80-82页 |
| 学位论文数据集 | 第82页 |
