动态全息过程提高铋硅族氧化物存储信号的读取精度
| 致谢 | 第1-6页 |
| 中文摘要 | 第6-7页 |
| ABSTRACT | 第7-10页 |
| 1 引言 | 第10-12页 |
| ·选题研究方向及意义 | 第10页 |
| ·当前研究情况 | 第10-11页 |
| ·解决问题的方法 | 第11页 |
| ·论文的安排 | 第11-12页 |
| 2 基础理论 | 第12-18页 |
| ·非线性光学简介 | 第12页 |
| ·光折变效应的物理机制及性质 | 第12-15页 |
| ·光折变带输运模型 | 第15-16页 |
| ·空间电荷场的建立 | 第16页 |
| ·铋硅族氧化物特性 | 第16-18页 |
| 3 铋硅族氧化物动态全息过程及二波耦合特性 | 第18-32页 |
| ·相对耦合强度张量 | 第19-25页 |
| ·多重效应下的相对耦合强度张量 | 第19-21页 |
| ·几种切割面的相对耦合强度 | 第21-23页 |
| ·外电场产生的相对耦合强度 | 第23-25页 |
| ·二波耦合的分析解 | 第25-28页 |
| ·二波耦合的数值解 | 第28-32页 |
| ·无加外电场作用下的二波耦合 | 第29-30页 |
| ·外电场作用下的二波耦合 | 第30-32页 |
| 4 分析法的误差分析及适用范围 | 第32-46页 |
| ·数值解法与分析解法的比较 | 第32-39页 |
| ·BSO晶体中两种方法的比较 | 第33-37页 |
| ·BTO晶体中两种方法的比较 | 第37-39页 |
| ·误差分析及分析解适用范围 | 第39-46页 |
| 5 结论 | 第46-47页 |
| 参考文献 | 第47-49页 |
| 附录 | 第49-50页 |
| 作者简历 | 第50-52页 |
| 学位论文数据集 | 第52页 |
