| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-12页 |
| 引言 | 第12-13页 |
| 1 绪论 | 第13-23页 |
| ·激光技术与激光晶体 | 第13-18页 |
| ·激光技术 | 第13页 |
| ·激光晶体 | 第13-16页 |
| ·激光晶体的应用及发展 | 第16-18页 |
| ·晶体生长方法 | 第18-23页 |
| ·提拉法 | 第19页 |
| ·坩埚下降法 | 第19-23页 |
| 2 新型激光介质Er~(3+): Bi_4Ge_3O_(12)的单晶生长与光谱性质 | 第23-42页 |
| ·引言 | 第23页 |
| ·绪论 | 第23-26页 |
| ·Bi_4Ge_3O_(12)晶体的研究 | 第23-25页 |
| ·本研究工作的背景及意义 | 第25页 |
| ·本论文研究内容 | 第25-26页 |
| ·本论文研究方案 | 第26页 |
| ·实验过程 | 第26-32页 |
| ·原料制备 | 第26-27页 |
| ·晶体生长装置 | 第27-28页 |
| ·坩埚器材 | 第28-31页 |
| ·Er~(3+): Bi_4Ge_3O_(12)单晶生长 | 第31-32页 |
| ·结果与讨论 | 第32-38页 |
| ·原料合成 | 第32-33页 |
| ·晶体形貌 | 第33-34页 |
| ·生长参数和温度场分布 | 第34-35页 |
| ·熔体侵蚀 | 第35-36页 |
| ·晶体缺陷 | 第36-38页 |
| ·晶体生长的工艺条件 | 第38页 |
| ·Er~(3+): Bi_4Ge_3O_(12)单晶光谱 | 第38-41页 |
| ·紫外可见吸收光谱 | 第38-39页 |
| ·荧光光谱 | 第39-41页 |
| ·小结 | 第41-42页 |
| 3 新型激光介质Ce~(3+): LiYF_4的单晶生长与光谱性质 | 第42-77页 |
| ·引言 | 第42-43页 |
| ·绪论 | 第43-52页 |
| ·氟化物激光晶体的研究 | 第43-47页 |
| ·本论文工作的研究背景及意义 | 第47-51页 |
| ·本论文工作的研究内容及方案 | 第51-52页 |
| ·原料合成 | 第52-57页 |
| ·实验过程 | 第53-55页 |
| ·结果与讨论 | 第55-57页 |
| ·Ce~(3+): LiYF_4单晶生长 | 第57-61页 |
| ·自发成核生长 | 第58-59页 |
| ·LiYF_4单晶生长 | 第59-60页 |
| ·Ce~(3+):LiYF_4单晶生长 | 第60页 |
| ·晶体加工 | 第60-61页 |
| ·结果与讨论 | 第61-71页 |
| ·晶体形貌 | 第61-63页 |
| ·偏析层分析 | 第63-64页 |
| ·晶体开裂 | 第64-67页 |
| ·晶体生长条件 | 第67-70页 |
| ·生长工艺参数总结 | 第70-71页 |
| ·晶体表征 | 第71-75页 |
| ·X 射线粉末衍射分析 | 第71-72页 |
| ·透射光谱 | 第72-73页 |
| ·红外光谱 | 第73-74页 |
| ·荧光光谱 | 第74-75页 |
| ·小结 | 第75-77页 |
| 4 结论 | 第77-79页 |
| 参考文献 | 第79-85页 |
