| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-21页 |
| ·引言 | 第9-10页 |
| ·非易失性存储器存储原理及其可靠性 | 第10-12页 |
| ·基本原理 | 第10页 |
| ·编程和擦除机制 | 第10-12页 |
| ·非易失性存储器的可靠性 | 第12页 |
| ·SONOS存储器的结构及其工作原理 | 第12-14页 |
| ·SONOS存储器的结构 | 第12-13页 |
| ·SONOS存储器的工作原理 | 第13-14页 |
| ·金属纳米晶存储器的工作原理及金属纳米晶的制备 | 第14-18页 |
| ·金属纳米晶存储器的工作原理 | 第14-15页 |
| ·金属纳米晶的大小和分布要求 | 第15-17页 |
| ·金属纳米晶的制备方法 | 第17-18页 |
| ·SONOS和金属纳米晶存储器的性能优化 | 第18-20页 |
| ·本章小结 | 第20-21页 |
| 第二章 基于SiO_2\HfO_2\Al_2O_3介质的MOS结构存储效应研究 | 第21-29页 |
| ·前言 | 第21页 |
| ·实验方案 | 第21-22页 |
| ·实验结果及讨论 | 第22-28页 |
| ·本章小结 | 第28-29页 |
| 第三章 基于Al_2O_3\Pt纳米晶\HfO_2的MOS电容存储效应研究 | 第29-37页 |
| ·前言 | 第29页 |
| ·实验方案 | 第29-30页 |
| ·铂金属纳米晶的制备 | 第29-30页 |
| ·铂纳米晶存储电容的制备 | 第30页 |
| ·实验结果及讨论 | 第30-36页 |
| ·退火温度对铂纳米晶生长的影响 | 第30-34页 |
| ·铂纳米晶MOS电容的电荷存储效应 | 第34-36页 |
| ·本章小结 | 第36-37页 |
| 第四章 基于Al_2O_3\HfO_2\Al_2O_3隧穿层的钴纳米晶存储电容的性能研究 | 第37-47页 |
| ·前言 | 第37页 |
| ·实验方案 | 第37-38页 |
| ·钴金属纳米晶的制备 | 第37页 |
| ·基于Al_2O_3\HfO_2\Al_2O_3(A\H\A)隧穿层的钴纳米晶存储电容的制备 | 第37-38页 |
| ·实验结果及讨论 | 第38-46页 |
| ·退火对钴纳米晶生长的影响 | 第38-39页 |
| ·钴纳米晶的化学成分分析 | 第39-40页 |
| ·基于A\H\A隧穿层的钴纳米晶存储电容的结构 | 第40-41页 |
| ·基于A\H\A隧穿层的钴纳米晶MOS电容的存储效应 | 第41-46页 |
| ·本章小结 | 第46-47页 |
| 第五章 研究总结及展望 | 第47-49页 |
| 参考文献 | 第49-53页 |
| 硕士阶段发表的学术论文 | 第53-54页 |
| 致谢 | 第54-55页 |
