| 中文摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第10-22页 |
| 1.1 引言 | 第10页 |
| 1.2 薄膜太阳电池简介 | 第10-12页 |
| 1.3 光管理结构在太阳电池中的应用 | 第12-15页 |
| 1.4 本文主要研究工作 | 第15-16页 |
| 参考文献 | 第16-22页 |
| 第二章 纳米结构的光学特性与电学特性模拟方法 | 第22-32页 |
| 2.1 引言 | 第22页 |
| 2.2 时域有限差分法 | 第22-26页 |
| 2.2.1 差商近似 | 第23-25页 |
| 2.2.2 数值稳定性 | 第25-26页 |
| 2.2.3 吸收边界条件 | 第26页 |
| 2.3 光学仿真步骤 | 第26-28页 |
| 2.4 电学仿真基本原理 | 第28-30页 |
| 2.4.1 泊松方程和漂移扩散方程 | 第28-30页 |
| 2.4.2 电学仿真步骤 | 第30页 |
| 2.5 小结 | 第30-31页 |
| 参考文献 | 第31-32页 |
| 第三章 “U池”状纳米墙阵列光电性能研究 | 第32-55页 |
| 3.1 引言 | 第32页 |
| 3.2 结构与光电学参数 | 第32-33页 |
| 3.3 GaAs“U”形墙的光学性能 | 第33-40页 |
| 3.3.1 衬底厚度对“U”形墙光学性能的影响 | 第34-35页 |
| 3.3.2 宽度对“U”形墙的光学性能的影响 | 第35-36页 |
| 3.3.3 高度对“U”形墙光学性能的影响 | 第36-39页 |
| 3.3.4 GaAs“U”形墙的优化结构的光学性能 | 第39-40页 |
| 3.4 GaAs“U”形墙的电学性能 | 第40-43页 |
| 3.5 poly-Si“U”形墙的光学性能 | 第43-49页 |
| 3.5.1 衬底厚度对“U”形墙光学性能的影响 | 第43-44页 |
| 3.5.2 宽度对“U”形墙光学性能的影响 | 第44-45页 |
| 3.5.3 高度对“U”形墙光学性能的影响 | 第45-47页 |
| 3.5.4 poly-Si“U”形墙的优化结构的光学性能 | 第47-49页 |
| 3.6 poly-Si“U”形墙优化结构的电学性能 | 第49-51页 |
| 3.7 小结 | 第51-53页 |
| 参考文献 | 第53-55页 |
| 第四章 倒“U池”状纳米墙阵列的光电性能研究 | 第55-76页 |
| 4.1 引言 | 第55页 |
| 4.2 结构与光电学参数 | 第55-56页 |
| 4.3 GaAs倒“U”形墙的光学性能 | 第56-62页 |
| 4.3.1 衬底厚度对GaAs倒“U”形墙光学性能的影响 | 第57-58页 |
| 4.3.2 宽度对Ga As倒“U”形墙光学性能的影响 | 第58-59页 |
| 4.3.3 高度对GaAs倒“U”形墙对光学性能的影响 | 第59-60页 |
| 4.3.4 GaAs倒“U”形墙优化结构的光学性能 | 第60-62页 |
| 4.4 GaAs倒“U”形墙优化结构的电学性能 | 第62-64页 |
| 4.5 poly-Si倒“U”形墙的光学性能 | 第64-71页 |
| 4.5.1 衬底厚度对poly-Si倒“U”形墙的光学性能的影响 | 第65-66页 |
| 4.5.2 宽度对poly-Si倒“U”形墙的光学性能的影响 | 第66-67页 |
| 4.5.3 高度对poly-Si倒“U”形墙的光学性能的影响 | 第67-69页 |
| 4.5.4 poly-Si倒“U”形墙优化结构的光学性能 | 第69-71页 |
| 4.6 poly-Si倒“U”形墙优化结构的电学性能 | 第71-73页 |
| 4.7 小结 | 第73-74页 |
| 参考文献 | 第74-76页 |
| 第五章 总结与展望 | 第76-78页 |
| 5.1 总结 | 第76-77页 |
| 5.2 展望 | 第77-78页 |
| 在学期间的研究成果 | 第78-79页 |
| 致谢 | 第79页 |
