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抵制闪存内部存储单元间耦合干扰的方案设计和性能分析

摘要第4-5页
Abstract第5页
第一章 绪论第10-18页
    1.1 研究背景及意义第10-12页
    1.2 研究现状第12-16页
        1.2.1 闪存存储信道的研究现状第12-13页
        1.2.2 闪存存储系统中差错控制技术的研究现状第13-16页
    1.3 本文的结构安排第16-18页
第二章 闪存的背景知识和系统模型第18-27页
    2.1 闪存存储系统的基本结构第18-21页
        2.1.1 闪存的基本类型第18-19页
        2.1.2 闪存的结构与操作过程第19-21页
    2.2 闪存存储系统中的模型分析第21-24页
        2.2.1 闪存的操作过程模型第21-22页
        2.2.2 ICI噪声干扰模型第22-24页
    2.3 LDPC码的相关背景以及闪存系统基本模型第24-26页
        2.3.1 LDPC码背景知识回顾第24-25页
        2.3.2 闪存存储系统基本模型第25-26页
    2.4 本章小结第26-27页
第三章 模式标准化方案第27-46页
    3.1 ICI干扰噪声的相关分析第27-30页
    3.2 适用于SLC型闪存的模式标准化方案第30-34页
    3.3 适用于MLC型闪存的模式标准化方案第34-39页
    3.4 一种特殊的适用于MLC型闪存的模式标准化方案(PN3)第39-41页
    3.5 PN方案仿真结果讨论分析第41-45页
        3.5.1 PN方案在SLC型闪存的仿真结果分析第41-43页
        3.5.2 PN方案在MLC型闪存的仿真结果分析第43-45页
    3.6 本章小结第45-46页
第四章 层级约束编码方案第46-61页
    4.1 层级约束编码相关理论基础第46-47页
    4.2 一维层级约束编码方案综述第47-54页
    4.3 二维的层级约束编码方案第54-57页
    4.4 2D-HCC方案仿真结果讨论分析第57-59页
        4.4.1 2D-HCC方案在SLC型闪存的仿真结果分析第57-58页
        4.4.2 2D-HCC方案在MLC型闪存的仿真结果分析第58-59页
    4.5 本章小结第59-61页
第五章 总结与展望第61-63页
参考文献第63-66页
致谢第66页

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