| 摘要 | 第4-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第11-24页 |
| 1.1 研究的背景和意义 | 第11-12页 |
| 1.2 热电材料性能参数 | 第12-14页 |
| 1.2.1 电导率 | 第13页 |
| 1.2.2 塞贝克系数 | 第13-14页 |
| 1.2.3 热导率 | 第14页 |
| 1.3 热电材料研究现状 | 第14-19页 |
| 1.3.1 CoSb_3基热电材料 | 第15页 |
| 1.3.2 PbTe基热电材料 | 第15-16页 |
| 1.3.3 Bi_2Te_3基热电材料 | 第16页 |
| 1.3.4 Mg_2Si基热电材料 | 第16-19页 |
| 1.3.4.1 Mg_2Si基热电材料的制备 | 第17-18页 |
| 1.3.4.2 Mg_2Si基热电材料的性能优化 | 第18-19页 |
| 1.4 热电器件研究现状 | 第19-23页 |
| 1.4.1 CoSb_3基热电器件 | 第19页 |
| 1.4.2 PbTe基热电器件 | 第19-20页 |
| 1.4.3 Bi_2Te_3基热电器件 | 第20页 |
| 1.4.4 Mg_2Si基热电器件 | 第20-23页 |
| 1.5 本文的研究目的及主要研究内容 | 第23-24页 |
| 第2章 实验方法与测试设备 | 第24-32页 |
| 2.1 材料制备方法及设备 | 第24-26页 |
| 2.2 材料结构表征方法及设备 | 第26-27页 |
| 2.2.1 相组成分析 | 第26-27页 |
| 2.2.2 材料成分与微结构分析 | 第27页 |
| 2.3 材料性能测试方法及设备 | 第27-32页 |
| 2.3.1 塞贝克系数测试 | 第27-28页 |
| 2.3.2 电导率测试 | 第28-29页 |
| 2.3.3 热导率测试 | 第29页 |
| 2.3.4 热膨胀系数测试 | 第29页 |
| 2.3.5 接触电阻测试 | 第29-30页 |
| 2.3.6 剪切强度测试 | 第30-32页 |
| 第3章 Mg_2Si的制备及热电性质的研究 | 第32-46页 |
| 3.1 引言 | 第32页 |
| 3.2 不同温度下Mg_2Si的制备、微结构和热电性能 | 第32-39页 |
| 3.2.1 实验 | 第32-33页 |
| 3.2.2 相组成及微观结构 | 第33-35页 |
| 3.2.3 Mg_2Si化合物的电传输性能 | 第35-37页 |
| 3.2.4 Mg_2Si化合物的热传输性能 | 第37-38页 |
| 3.2.5 Mg_2Si化合物的热电优值ZT | 第38-39页 |
| 3.3 不同压力下Mg_2Si的制备、微结构和热电性能 | 第39-44页 |
| 3.3.1 实验 | 第39页 |
| 3.3.2 相组成及微观结构 | 第39-41页 |
| 3.3.3 Mg_2Si化合物的电传输性能 | 第41-43页 |
| 3.3.4 Mg_2Si化合物的热传输性能 | 第43-44页 |
| 3.3.5 Mg_2Si化合物的热电优值ZT | 第44页 |
| 3.4 小结 | 第44-46页 |
| 第4章 Cu电极与Mg_2Si连接界面结构演变规律 | 第46-67页 |
| 4.1 引言 | 第46-47页 |
| 4.2 Cu电极的选择与制备 | 第47-50页 |
| 4.3 Cu与Mg_2Si的结合界面结构演变 | 第50-65页 |
| 4.3.1 500℃下退火不同时间界面结构 | 第50-54页 |
| 4.3.2 界面反应层相组成和热电性能 | 第54-56页 |
| 4.3.3 500℃退火不同时间接触电阻测试与分析 | 第56-58页 |
| 4.3.4 500℃退火不同时间热传导的测试与分析 | 第58-60页 |
| 4.3.5 500℃退火不同时间界面剪切测试与分析 | 第60-61页 |
| 4.3.6 550℃退火后界面结构 | 第61-63页 |
| 4.3.7 580℃退火后界面结构 | 第63-65页 |
| 4.4 小结 | 第65-67页 |
| 第5章 结论 | 第67-69页 |
| 参考文献 | 第69-74页 |
| 致谢 | 第74-75页 |
| 在读期间发表的学术论文与取得的其他成果 | 第75页 |
